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1. (WO2000025322) SHAPED SOURCE OF SOFT X-RAY, EXTREME ULTRAVIOLET AND ULTRAVIOLET RADIATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025322    International Application No.:    PCT/US1999/025271
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 27.10.1999
Chapter 2 Demand Filed:    26.05.2000    
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), H05G 2/00 (2006.01)
Applicants: JMAR TECHNOLOGY CO. [US/US]; 3956 Sorrento Valley Boulevard San Diego, CA 92121 (US)
Inventors: FOSTER, Richard, M.; (US).
TURCU, Edmond, I., C.; (US).
SASIAN, Jose, M.; (US).
RIEGER, Harry; (US).
MORRIS, James, H.; (US)
Agent: BROOK, Mitchell, P.; Baker & McKenzie 12th floor 101 West Broadway San Diego, CA 92101 (US)
Priority Data:
60/105,861 27.10.1998 US
Title (EN) SHAPED SOURCE OF SOFT X-RAY, EXTREME ULTRAVIOLET AND ULTRAVIOLET RADIATION
(FR) SOURCE MODELEE DE RAYONNEMENTS X MOUS, ULTRAVIOLETS EXTREMES ET ULTRAVIOLETS
Abstract: front page image
(EN)A shaped plasma discharge system is provided in which a shaped radiation source emits radiation at a desired frequency and in a desired shape. In one embodiment, a laser source (10) provides an output beam at a desired intensity level to shaping optics. The shaping optics (30) alters the output beam into a desired shaped illumination field. In an alternate embodiment, plural laser sources provide plural output beams and the shaping optics can produce a compound illumination field. The illumination field strikes a target material (45) forming a plasma of the desired shape that emits radiation with a desired spatial distribution, at a desired wavelength, preferably in the x-ray, soft x-ray, extreme ultraviolet or ultraviolet spectra. In another embodiment an electric discharge generates the required shaped radiation field. The shaped emitted radiation proceeds through an optical system to a photoresist coated wafer, imprinting a pattern on the wafer.
(FR)Système de décharge au plasma modelé où une source de rayonnement émet à la fréquence et avec la forme désirée. Dans une réalisation, une source laser (10) émet un faisceau de sortie de l'intensité désirée vers l'optique de mise en forme. L'optique de mise en forme (30) transforme le faisceau de sortie en un champ d'éclairage ayant la forme désirée. Dans une autre réalisation, une pluralité de sources lasers fournissent autant de faisceaux de sortie et l'optique de mise en forme peut produire un champ d'éclairage composite. Le champ d'éclairage vient frapper un matériau cible (45), créant ainsi un plasma ayant la forme désirée, émettant avec la distribution spatiale désirée et à la longueur d'onde désirée, de préférence dans le spectre des rayons X, rayons X mous, ultraviolets extrêmes ou ultraviolets. Dans une autre réalisation, une décharge électrique génère le champ de rayonnement ayant la forme souhaitée. Le rayonnement modelé est émis, à travers un système optique, vers une plaquette enduite de résine photosensible, laissant un motif sur la plaquette.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)