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1. (WO2000025318) NON-VOLATILE MEMORY WITH IMPROVED SENSING AND METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025318    International Application No.:    PCT/US1999/024555
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 20.10.1999
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/28 (2006.01)
Applicants: SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court Sunnyvale, CA 94089 (US) (For All Designated States Except US).
CERNEA, Raul-Adrian [US/US]; (US) (For US Only).
TANG, Rushyah [--/US]; (US) (For US Only).
LEE, Douglas [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, Chi-Ming [US/US]; (US) (For US Only).
GUTERMAN, Daniel [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CERNEA, Raul-Adrian; (US).
TANG, Rushyah; (US).
LEE, Douglas; (US).
WANG, Chi-Ming; (US).
GUTERMAN, Daniel; (US)
Agent: YAU, Philip; Majestic, Parsons, Siebert & Hsue P.C. Four Embarcadero Center Suite 1100 San Francisco, CA 94111-4106 (US)
Priority Data:
09/177,809 23.10.1998 US
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY WITH IMPROVED SENSING AND METHOD THEREFOR
(FR) MEMOIRE REMANENTE A DETECTION AMELIOREE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)Floating gate memories such as EEPROM and flash EEPROM have the memory state of a memory cell thereof determined by sensing the conduction current of the cell. Inherent noise fluctuations in the conduction current during sensing are canceled out by averaging the sensing over a predetermined period of time. In one embodiment, as an integral part of the averaging process, the averaged conduction current is obtained directly as a digital memory state. Accuracy in sensing is therefore greatly improved by avoiding sensing noise with the current and avoiding having to resolve its memory state in the analog domain by comparison with another noisy reference current. In another embodiment, conventional sensing techniques are improved when sensing is made by comparison with a reference current by means of a symmetric, switched or non-switched capacitor differential amplifier. The improved sensing accuracy allows higher resolution of conduction states, thereby allowing a cell to store substantially more than one bit of information.
(FR)L'invention porte sur des mémoires à grille flottante telles que des mémoires EEPROM et flash EEPROM ayant l'état d'une cellule de mémoire qui est déterminé par détection du courant de conduction de la cellule. Des fluctuations de bruit naturelles dans le courant de conduction lors de la détection sont annulées par le moyennage de la détection sur une durée prédéterminée. Selon une réalisation, faisant partie intégrante du processus de moyennage, le courant de conduction dont on a fait la moyenne est obtenu directement sous forme d'état de mémoire numérique. On améliore, par conséquent, considérablement la précision de détection en évitant de détecter le bruit avec le courant et en évitant également de résoudre son état de mémoire dans le domaine analogique en comparaison avec un autre courant de référence de bruit. Selon une autre réalisation, on améliore les techniques de détection traditionnelles lorsqu'on effectue la détection en la comparant avec un courant de référence au moyen d'un amplificateur différentiel de condensateur symétrique, commuté ou non commuté. Une meilleure précision de détection permet d'obtenir une plus haute résolution des états de conduction, ce qui permet à une cellule de stocker pratiquement plus d'un bit d'informations.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)