WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000025156) MANUFACTURE OF A SILICON WAVEGUIDE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/025156    International Application No.:    PCT/GB1999/001643
Publication Date: 04.05.2000 International Filing Date: 25.05.1999
Chapter 2 Demand Filed:    03.05.2000    
IPC:
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/126 (2006.01), G02B 6/136 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01)
Applicants: BOOKHAM TECHNOLOGY PLC [GB/GB]; 90 Milton Park Abingdon Oxfordshire OX14 4RY (GB)
Inventors: DRAKE, John, Paul; (GB).
SHAW, Matthew, Peter; (GB)
Agent: DRIVER, Virginia, Rozanne; Page White & Farrer 54 Doughty Street London WC1N 2LS (GB)
Priority Data:
9823313.3 23.10.1998 GB
Title (EN) MANUFACTURE OF A SILICON WAVEGUIDE STRUCTURE
(FR) FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE GUIDE D'ONDES AU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for making a silicon rib waveguide structure is described comprising the following steps: (i) forming a window in a protective layer on the surface of a silicon wafer to expose a part of said surface; (ii) depositing a buffer layer at least over said exposed surface; (iii) carrying out an etch step to etch the buffer layer and silicon outside a protected rib portion thereby to form a silicon rib with the buffer layer on its upper surface; and (iv) forming a layer of cladding at least on side walls of the silicon rib.
(FR)L'invention concerne un procédé pour réaliser une structure de guide d'ondes à rebord en silicium, consistant à: (i) former une fenêtre dans une couche protectrice sur la surface d'une tranche de silicium pour dégager une partie de ladite surface; (ii) déposer une couche tampon au moins sur ladite surface dégagée; (iii) effectuer une étape d'attaque pour attaquer la couche tampon et le silicium à l'extérieur d'une portion de rebord protégée, pour ainsi former un rebord en silicium portant sur sa surface supérieure la couche tampon; et (iv) former une couche de revêtement au moins sur des parois latérales du rebord en silicium.
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)