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1. WO1999059249 - METHOD AND DEVICE FOR SWITCHING A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Publication Number WO/1999/059249
Publication Date 18.11.1999
International Application No. PCT/DE1999/001306
International Filing Date 03.05.1999
Chapter 2 Demand Filed 14.10.1999
IPC
H03K 17/16 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
CPC
H03K 17/163
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
162without feedback from the output circuit to the control circuit
163Soft switching
Applicants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • EHBEN, Thomas [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventors
  • EHBEN, Thomas
Priority Data
198 21 232.112.05.1998DE
Publication Language German (DE)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM UMSCHALTEN EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS
(EN) METHOD AND DEVICE FOR SWITCHING A FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR COMMUTER UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abstract
(DE)
Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung beschrieben, bei welchen das Umschalten des Feldeffekttransistors unter Anlegen einer zum Umschalten geeigneten Steuerspannung an ein dem Gateanschluß vorgeschaltetes RC-Glied (R2, C2) erfolgt. Das Verfahren und die Vorrichtung zeichnen sich dadurch aus, daß das Umschalten des Feldeffekttransistors unter Verwendung einer Steuerspannung durchgeführt wird, welche zumindest vorübergehend nur geringfügig jenseits der Schwellenspannung liegt, die an den Gateanschluß des Feldeffekttransistors angelegt werden muß, um ein Umschalten desselben bewirken zu können.
(EN)
The invention relates to a method and a device, whereby a field effect transistor is switched by applying a control voltage suitable for switching on a RC member (R2, C2) connected downstream from a gate connection. The method and the device are characterized in that the field effect transistor is switched by using a control voltage slightly exceeding at least temporarily the threshold voltage that must be applied on the gate connection of the field effect transistor in order to bring about switching of said transistor.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un dispositif, dans lesquels la commutation d'un transistor à effet de champ s'effectue par application d'une tension de commande, appropriée pour la commutation, à un circuit RC (R2, C2) monté en amont de la borne de grille. Le procédé et le dispositif sont caractérisés en ce que la commutation du transistor à effet de champ s'effectue au moyen d'une tension de commande qui est, au moins temporairement, légèrement supérieure à la tension de seuil devant être appliquée à la borne de grille du transistor à effet de champ pour provoquer une commutation de ce dernier.
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