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1. (WO1999043041) SUBSTRATE ANTENNA INCORPORATING AN ELEMENT PREVENTING THE COUPLING OF ENERGY BETWEEN ANTENNA AND CONDUCTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/043041    International Application No.:    PCT/US1999/003507
Publication Date: 26.08.1999 International Filing Date: 18.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    17.09.1999    
IPC:
H01Q 1/24 (2006.01), H01Q 1/38 (2006.01), H01Q 1/52 (2006.01), H01Q 5/00 (2006.01), H01Q 9/40 (2006.01), H01Q 9/42 (2006.01), H04B 1/38 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 (US)
Inventors: SEE, Puay, Hoe; (US)
Agent: MILLER, Russell, B.; Qualcomm Incorporated 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 (US)
Priority Data:
60/075,616 20.02.1998 US
09/063,814 21.04.1998 US
Title (EN) SUBSTRATE ANTENNA INCORPORATING AN ELEMENT PREVENTING THE COUPLING OF ENERGY BETWEEN ANTENNA AND CONDUCTORS
(FR) ANTENNE DE SUBSTRAT COMPORTANT UN ELEMENT DE PREVENTION DE COUPLAGE D'ENERGIE ENTRE ANTENNE ET CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A parasitic element (800, 900) for use with an internal antenna (300) in a wireless device (100, 700). Generally, the antenna is a substrate antenna (300) with one or more conductive traces (302) supported on a substrate (304) and mounted offset from a ground plane (504, 508) associated with the wireless device. One or more signal or power transfer conductors, cables, or signal feeds (712) are positioned immediately adjacent to the antenna (300), which are capable of coupling signals into the antenna which picks-up energy from fields around or emanating from the conductors. Alternatively, the conductors intercept a portion of the energy being transferred into the antenna (300). The parasitic patch element (800, 900) employs a thin conductive structure which is placed adjacent to, over or under those conductors (712), reduces a substantial portion of energy from coupling between the conductors and antenna by altering the resonant or energy coupling characteristics of the conductors. The parasitic element (800, 900, 902, 904, 906) inhibits transfer of energy between the conductors and the antenna, which increases overall device gain. In addition, the parasitic element and the parasitic coupling of the parasitic element to the ground plane, increases the gain and bandwidth of the wireless devices. The parasitic element can be manufactured from a variety of materials and in a variety of shapes (800, 900, 902, 904, 906) and be installed using a variety of known techniques for positioning and installing thin conductive or metallic layers of material.
(FR)L'invention concerne un brin parasite (800, 900) destiné à s'utiliser avec une antenne intérieure (300) dans un dispositif sans fil (100, 700). En général, l'antenne est une antenne de substrat (300) comprenant un ou plusieurs tracés conducteurs (302) disposés sur un substrat (304) et montés en décalage par rapport à un plan de masse (504, 508) associé au dispositif sans fil. Un ou plusieurs conducteurs, câbles ou sources de signaux (712) de transfert de signaux ou d'énergie sont disposés à proximité immédiate de l'antenne (300) et sont capables de coupler des signaux dans l'antenne qui tire l'énergie provenant des champs alentour ou émanant des conducteurs. Dans un autre mode de réalisation, les conducteurs interceptent une partie de l'énergie transférée dans l'antenne (300). Le brin parasite de connexion (800, 900) fait appel à une structure conductrice mince placée à côté, au-dessus ou au-dessous des conducteurs (712) pour réduire sensiblement l'énergie provenant du couplage entre les conducteurs et l'antenne en modifiant les caractéristiques de couplage par résonance ou de couplage énergétique des conducteurs. Le brin parasite (800, 900, 902, 904, 906) empêche le transfert d'énergie entre les conducteurs et l'antenne, ce qui augmente le gain total du dispositif. En outre, le brin parasite et le couplage parasite du brin parasite au plan de masse permet d'augmenter le gain et la largeur de bande des dispositifs sans fil. Le brin parasite peut être formé de plusieurs matières et peut présenter plusieurs formes (800, 900, 902, 904, 906) et on peut le mettre en place par plusieurs techniques connues de placement et de mise en place de couches de matière conductrice mince ou métallique.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)