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1. (WO1999043024) METHOD FOR LIMITING INTERNAL DIFFUSION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPOSITE SI/SIGE GATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/043024    International Application No.:    PCT/FR1999/000330
Publication Date: 26.08.1999 International Filing Date: 15.02.1999
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Applicants: FRANCE TELECOM [FR/FR]; 6, place d'Alleray F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
BENSAHEL, Daniel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
CAMPIDELLI, Yves [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MARTIN, François [FR/FR]; (FR) (For US Only).
HERNANDEZ, Caroline [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: BENSAHEL, Daniel; (FR).
CAMPIDELLI, Yves; (FR).
MARTIN, François; (FR).
HERNANDEZ, Caroline; (FR)
Agent: BUREAU D.A. CASALONGA JOSSE; 8, avenue Percier F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
98/02026 19.02.1998 FR
Title (EN) METHOD FOR LIMITING INTERNAL DIFFUSION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPOSITE SI/SIGE GATE
(FR) PROCEDE POUR LIMITER L'INTERDIFFUSION DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILL COMPOSITE SI/SIGE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method which consists, prior to depositing the encapsulating silicon layer, in: A) depositing on the Si¿1-x?Ge¿x? layer a thin film of amorphous or polycrystalline silicon, then in treating said silicon film with gas nitric oxide at a temperature between 450 to 600 °C and at a pressure level of 10?4¿ to 10?5¿ Pa to obtain a thin nitrided silicon film; or B) depositing on the Si¿1-x?Ge¿x? layer a thin film of amorphous or polycrystalline silicon and oxidising the silicon film to form a surface film of silicon oxide less than 1 nm thick and optionally treating the oxidised amorphous or polycrystalline silicon film with nitric oxide as in A). The invention is applicable to CMOS semiconductors.
(FR)Le procédé selon l'invention consiste à, avant le dépôt de la couche de silicium d'encapsulation: A) déposer sur la couche de Si¿1-x?Ge¿x? une mince couche de silicium amorphe ou polycristallin, puis traiter la couche de silicium avec de l'oxyde nitrique gazeux à une température de 450 à 600 °C et une pression de 10?4¿ à 10?5¿ Pa pour obtenir une couche mince de silicium nitruré; ou B) déposer sur la couche de Si¿1-x?Ge¿x? une mince couche de silicium amorphe ou polycristallin et oxyder la couche de silicium pour former une couche superficielle d'oxyde de silicium d'épaisseur inférieure à 1 nm et facultativement traiter la couche de silicium amorphe ou polycristallin oxydée avec de l'oxyde nitrique comme en A). Application: aux semi-conducteurs CMOS.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)