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1. (WO1999042901) METHOD TO ADJUST MULTILAYER FILM STRESS INDUCED DEFORMATION OF OPTICS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/042901    International Application No.:    PCT/US1999/003411
Publication Date: 26.08.1999 International Filing Date: 17.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    08.09.1999    
IPC:
G02B 1/10 (2006.01), G02B 5/28 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventors: MONTCALM, Claude; (US).
MIRKARIMI, Paul, B.; (US)
Agent: GALLENSON, Mavis, S.; Ladas & Parry Suite 2100 5670 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Priority Data:
09/027,309 20.02.1998 US
Title (EN) METHOD TO ADJUST MULTILAYER FILM STRESS INDUCED DEFORMATION OF OPTICS
(FR) PROCEDE D'AJUSTEMENT DES CONTRAINTES D'UN FILM A COUCHES MULTIPLES INDUITES PAR LA DEFORMATION DU SUBSTRAT OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A buffer-layer located between a substrate and a multilayer for counteracting stress in the multilayer. Depositing a buffer-layer having a stress of sufficient magnitude and opposite in sign reduces or cancels out deformation in the substrate due to the stress in the multilayer. By providing a buffer-layer between the substrate and the multilayer, a tunable, near-zero net stress results, and hence results in little or no deformation of the substrate, such as an optic for an extreme ultraviolet (EUV) lithography tool. Buffer-layers have been deposited, for example, between Mo/Si and Mo/Be multilayer films and their associated substrate reducing significantly the stress, wherein the magnitude of the stress is less than 100 MPa and respectively near-normal incidence (5°) reflectance of over 60 % is obtained at 13.4 nm and 11.4 nm. The present invention is applicable to crystalline and non-crystalline materials, and can be used at ambient temperatures.
(FR)L'invention concerne une couche tampon placée entre un substrat et un film à couches multiples pour s'opposer aux contraintes dans ce dernier. Une couche tampon présentant une contrainte de grandeur suffisante et de signe opposé permet de réduire ou d'annuler les déformations provoquées dans le substrat par les contraintes du film à couches multiples. Cette couche tampon placée entre le substrat et le film à couches multiples permet d'obtenir une contrainte nette proche de zéro et accordable, ce qui se traduit par peu ou pas de déformation(s) du substrat, tel qu'un substrat optique pour un outil de lithographie par ultraviolets extrêmes. Des couches tampons ont été déposées, par exemple, entre des films à couches multiples de Mo/Si et Mo/Be et leur substrat associé, ce qui réduit significativement les contraintes, la grandeur des contraintes étant inférieure à 100 MPa. En outre, on obtient, un coefficient de réflexion (5°) d'incidence proche de la normale de plus de 60 % à 13,4 nm et 11,4 nm. La présente invention peut être appliquée à des matériaux cristallins et non cristallins, et peut être utilisée à température ambiante.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)