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1. (WO1999042897) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, ELECTRO-OPTIC DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/042897    International Application No.:    PCT/JP1999/000678
Publication Date: 26.08.1999 International Filing Date: 16.02.1999
IPC:
G02F 1/1362 (2006.01)
Applicants: SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0811 (JP) (For All Designated States Except US).
OZAWA, Tokuroh [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OZAWA, Tokuroh; (JP)
Agent: SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation Intellectual Property Dept. 3-5, Owa 3-chome Suwa-shi Nagano 392-8502 (JP)
Priority Data:
10/37755 19.02.1998 JP
Title (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, ELECTRO-OPTIC DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT A MATRICE ACTIVE, DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE, PROCEDE DE FABRICATION DU SUBSTRAT A MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)An active matrix substrate, an electro-optic device, and a method of manufacturing an active matrix substrate are disclosed. TFTs formed on a substrate is effectively prevented from being broken down by the static electricity generated at a step of rubbing an alignment layer. In a process for manufacturing an active matrix substrate (2), a pixel section (81) where pixel electrodes are formed in a matrix, a data line driving circuit (60), a scanning line driving circuit (70), and an external connection terminal (13) are formed in respective panel regions (20) of a large substrate (200), and a common interconnection (48) for static protection is formed of a conductive layer in such a way as to be astride the borders of adjacent panel regions. The static electricity generated at a step of rubbing the large substrate (200) is collected and dispersed by the common interconnection (48). Even though the TFTs fabricated by low-temperature process are subject to electrostatic breakdown, the common interconnection (48) protects the TFTs from electrostatic breakdown.
(FR)L'invention concerne un substrat à matrice active, un dispositif électro-optique et un procédé de fabrication d'un substrat à matrice active. On empêche de manière efficace des transistors à film mince formés sur un substrat d'être brisés par l'électricité statique générée dans une phase de frottement d'une couche d'alignement. Un procédé de fabrication d'un substrat à matrice active (2) consiste à former: une section de pixels (81) dans laquelle des électrodes de pixels sont formées dans une matrice, un circuit de commande de ligne de données (60), un circuit de commande de ligne de balayage (70) et un terminal de connexion extérieur (13), dans des régions (20) de panneaux respectives d'un substrat étendu (200), une interconnexion commune (48) de protection statique étant formée d'une couche conductrice de manière à chevaucher les bordures de régions de panneaux contiguës. L'électricité statique générée dans une phase de frottement du substrat étendu (200) est recueillie et dispersée par l'interconnexion commune (48). Même si les transistors à film mince formés dans un procédé à basse température peuvent subir un claquage électrostatique, l'interconnexion commune (48) protège les transistors à film mince d'un claquage électrostatique.
Designated States: CN, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)