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1. (WO1999041779) CRYSTAL ION-SLICING OF SINGLE-CRYSTAL FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/041779    International Application No.:    PCT/US1999/002625
Publication Date: 19.08.1999 International Filing Date: 08.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    16.09.1999    
IPC:
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK [US/US]; Broadway and 116th Street New York, NY 10027 (US)
Inventors: LEVY, Miguel; (US).
OSGOOD, Richard, M., Jr.; (US)
Agent: TANG, Henry; Baker & Botts, LLP 30 Rockefeller Plaza New York, NY 10112-0228 (US)
Priority Data:
09/025,114 17.02.1998 US
Title (EN) CRYSTAL ION-SLICING OF SINGLE-CRYSTAL FILMS
(FR) TRANCHAGE DE FILMS MONOCRISTALLINS A PARTIR DE STRUCTURES CRISTALLINES A IONS IMPLANTES
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for detaching a single-crystal film from an epilayer (32)/substrate (37) or bulk crystal structure. The method includes the steps of implanting ions (38) into the crystal structure to form a damage layer (36) within the crystal structure at an implantation depth below a top surface of the crystal structure and chemically etching the damage layer to effect detachment of the single-crystal film from the crystal structure. The method of the present invention is especially useful for detaching single-crystal metal oxide films from metal oxide crystal structures.
(FR)L'invention concerne un procédé de détachement d'un film monocristallin à partir d'un substrat (37)/couche épitaxiale (32) ou d'une structure cristalline non épitaxiée, comprenant les étapes consistant à implanter des ions (38) dans la structure cristalline, afin de former, dans cette structure, une couche endommagée (36), à une profondeur d'implantation située en dessous d'une surface supérieure de la structure cristalline, puis à attaquer chimiquement cette couche endommagée, afin d'exécuter le détachement du film monocristallin à partir de la structure cristalline. Le procédé de l'invention est notamment utile pour détacher des films d'oxydes métalliques monocristallins à partir de structures cristallines d'oxydes métalliques.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)