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1. (WO1999041632) IMPROVED PHOTOVOLTAIC GENERATOR CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/041632    International Application No.:    PCT/US1999/001492
Publication Date: 19.08.1999 International Filing Date: 22.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    09.09.1999    
IPC:
G02B 27/00 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/12 (2006.01), H03K 17/78 (2006.01)
Applicants: CP CLARE CORPORATION [US/US]; 78 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915 (US)
Inventors: POLCE, Nestore; (US)
Agent: KUSMER, Toby, H.; Lappin & Kusmer LLP 200 State Street Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
09/023,899 13.02.1998 US
Title (EN) IMPROVED PHOTOVOLTAIC GENERATOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT PERFECTIONNE DE GENERATEUR SOLAIRE
Abstract: front page image
(EN)A solid state photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation (14), an array of photodiodes (16) responsive to the radiation, a switching device (18) coupled to the photodiode array for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor which is made of substantially single-crystal silicon and is formed during the formation of the switching device. The fabrication of the circuit is thus significantly simplified and the resistor performance is stable over a wide range of operating temperatures.
(FR)Un circuit à semi-conducteur de générateur solaire se compose d'une source de rayonnement d'activation (14), d'un groupe de photodiodes (16) réagissant au rayonnement, d'un dispositif de commutation (18) couplé au groupe de photodiodes pour permettre la réponse au signal électrique produit par ledit rayonnement, et d'une résistance à grande impédance constituée sensiblement de silicium monocristallin et formée pendant la formation du dispositif de commutation. La fabrication du circuit est ainsi sensiblement simplifiée et la qualité de fonctionnement est stable sur une plage étendue de températures de fonctionnement.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)