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1. (WO1999041573) THIN FILM STRUCTURED SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/041573    International Application No.:    PCT/DE1999/000368
Publication Date: 19.08.1999 International Filing Date: 11.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    11.09.1999    
IPC:
G01F 1/684 (2006.01), G01F 1/692 (2006.01), G01K 7/18 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
TREUTLER, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MAREK, Jiri [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOBER, Hans-Friedemann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEINER, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: TREUTLER, Christoph; (DE).
MAREK, Jiri; (DE).
KOBER, Hans-Friedemann; (DE).
STEINER, Werner; (DE)
Priority Data:
198 06 211.7 16.02.1998 DE
Title (DE) SENSOR IN DÜNNFILMBAUWEISE
(EN) THIN FILM STRUCTURED SENSOR
(FR) DETECTEUR DE STRUCTURE A COUCHE MINCE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Sensor in Dünnfilmbauweise vorgeschlagen, der eine dielektrische Trägerschicht (21), auf der eine Platin enthaltende Schicht (23) angeordnet ist und mindstens eine darauf angeordnete Deckschicht (25) aufweist, wobei mindstens eine Oberfläche der Platin enthaltenden Schicht (23) zumindest bereichsweise mit einer zusätzlichen Haftschicht (22) aus Silizium versehen ist.
(EN)The invention relates to a thin film structured sensor, having a dielectric carrier layer (21) on which a layer (23) containing platinum is arranged and at least a top layer (25) is arranged thereon. At least one surface of the layer (23) containing platinum is fitted with an additional adhesive layer (22) made of silicon, at least in certain areas.
(FR)L'invention concerne un détecteur de structure à couche mince, qui comprend une couche porteuse (21) diélectrique sur laquelle est appliquée une couche (23) contenant du platine, et au moins une couche de protection (25) apposée dessus. Au moins une surface de la couche (23) contenant le platine présente au moins par endroits une couche d'adhérence (22) supplémentaire en silicium.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)