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1. (WO1999041434) PLATING APPARATUS AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/041434    International Application No.:    PCT/US1999/000964
Publication Date: 19.08.1999 International Filing Date: 15.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    19.08.1999    
IPC:
C25D 5/02 (2006.01), C25D 5/08 (2006.01), C25D 5/18 (2006.01), C25D 21/12 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Applicants: ACM RESEARCH, INC. [US/US]; 43236 Christy Street Fremont, CA 94538 (US)
Inventors: WANG, Hui; (US)
Agent: HIGGINS, Willis, E.; Cooley Godward LLP Five Palo Alto Square 3000 El Camino Real Palo Alto, CA 94306-2155 (US)
Priority Data:
60/074,466 12.02.1998 US
60/094,215 27.07.1998 US
Title (EN) PLATING APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE D'ELECTRODEPOSITION
Abstract: front page image
(EN)An apparatus for plating a conductive film directly on a substrate with a barrier layer on top includes anode rod (1) placed in tube (109), and anode rings (2, and 3) placed between cylindrical walls (107, 105), (103, 101) respectively. Anodes (1, 2, 3) are powered by power supplies (13, 12 and 11), respectively. Electrolyte (34) is pumped by pump (33) to pass through filter (32) and reach inlets of liquid mass flow controllers (LMFCs) (21, 22, 23). Then LMFCs (21, 22, 23) deliver electrolyte at a set flow rate to sub-plating baths containing anodes (3, 2, 1), respectively. After flowing through the gap between wafer (31) and the top of the cylindrical walls (101, 103, 105, 107 and 109), electrolyte flows back to tank (36) through spaces between cylindrical walls (100, 101), (103, 105), (107, 109), respectively. A pressure leak valve (38) is placed between the outlet of pump (33) and electrolyte tank (36) to leak electrolyte back to tank (36) when LMFCs (21, 22, 23) are closed. A wafer (31) held by wafer chuck (29) is connected to power supplies (11, 12 and 13). A drive mechanism (30) is used to rotate wafer (31) around the z axis, and oscillate the wafer in the x, y, and z directions shown. Filter (32) filters particles larger than 0.1 or 0.2 $g(m)m in order to obtain a low particle added plating process.
(FR)Un appareil d'électrodéposition d'une couche mince conductrice directement sur un substrat avec une couche de barrière supérieure comprend une tige d'anode (1) placée dans un tube (109), ainsi que des anneaux d'anode (2, 3) placés entre des parois cylindriques (107 et 105), (103 et 101) respectivement. Les anodes (1, 2 et 3) sont alimentées par des alimentations en courant (13, 12 et 11), respectivement. L'électrolyte (34) est pompé par une pompe (33) afin de passer à travers un filtre (32) et afin d'atteindre les entrées de régulateurs de débit massique liquide (LMFC) (21, 22 et 23). Ensuite les LMFC (21, 22 et 23) fournissent l'électrolyte à un débit prédéterminé à des bains sous-galvanoplastiques contenant les anodes (3, 2 et 1) respectivement. Après écoulement à travers l'écartement entre la tranche (31) et le haut des parois cylindriques (101, 103, 105, 107 et 109), l'électrolyte s'écoule en retour vers le réservoir (36) à travers les espaces entre les parois cylindriques (100 et 101), (103 et 105), et (107 et 109) respectivement. Une soupape (38) de fuite de pression est placée entre la sortie de la pompe (33) et le réservoir (36) d'électrolyte afin de laisser revenir l'électrolyte vers le réservoir (36) lorsque les LMFC (21, 22, 23) sont fermés. Une tranche (31) maintenue par un mandrin (29) de tranche est connecté à des alimentations en courant (11, 12 et 13). Un mécanisme d'entraînement (30) est utilisé pour faire tourner la tranche (31) autour de l'axe z et faire osciller ladite tranche dans les sens x, y et z illustrés. Un filtre (32) filtre les particules dont la grosseur dépasse 0,1 ou 0,2 $g(m)m afin d'obtenir un processus d'électrodéposition à faible taux de particules ajoutées.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)