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1. (WO1999040617) END POINT DETECTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PLASMA PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/040617    International Application No.:    PCT/JP1999/000428
Publication Date: 12.08.1999 International Filing Date: 02.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    17.06.1999    
IPC:
G01N 21/68 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON YAMANASHI LIMITED [JP/JP]; 2381-1, Kitagejo Fujii-machi Nirasaki-shi Yamanashi 407-8511 (JP) (For All Designated States Except US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi Saitama 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
KOSHIMIZU, Chishio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOSHIMIZU, Chishio; (JP)
Agent: SUZUYE, Takehiko; Suzuye & Suzuye 7-2, Kusumigaseki 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0013 (JP)
Priority Data:
10/22160 03.02.1998 JP
Title (EN) END POINT DETECTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PLASMA PROCESSING
(FR) PROCEDE DE DETECTION DE POINT FINAL DE TRAITEMENT AU PLASMA DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)During a plasma etching of a silicon dioxide film by means of a CF gas, the intensities (Ia, Ib) of emission of CF radicals and carbon monoxide are monitored with spectroscopes (61, 62). First and second approximate expressions (Fa(x), Fb(x)) approximate to the characteristic curves of the intensities (Ia, Ib) in a specific period are defined, and the ratios of standard deviations of the intensities (Ia, Ib) to the values of the first and second approximate expressions (Fa(x), Fb(x)) are found as correction coefficients ($g(a)). Next, first and second intermediate expressions (Ia/Fa(x), Ib/Fb(x)) after the specific period are defined, and a judgment expression ([Ia/Fa(x)]/{$g(a)[Ib/Fb(x)-1]+1}) representing the ratio of the two intermediate expressions weight-corrected with the correction coefficients ($g(a)) are defined. According to the judgment expressions, the end point of the plasma etching is determined.
(FR)Pendant la gravure au plasma d'un film de dioxyde de silicium par l'intermédiaire d'un gaz CF, on contrôle les intensités (Ia, Ib) de l'émission des radicaux de CF et d'oxyde de carbone au moyen de spectroscopes (61, 62). On définit une première et une deuxième expressions approximatives s'approchant des courbes caractéristiques des intensités (Ia, Ib) pendant une période spécifique et on recherche en tant que coefficients de correction ($g(a)) les rapports de déviations standard des intensités (Ia, Ib) des valeurs de la première et de la deuxième expressions approximatives (Fa(x), Fb(x)). On définit ensuite une première et une deuxième expressions intermédiaires (Ia/Fa(x), Ib/Fb(x)) après la période spécifique et on définit une expression de jugement ([Ia/Fa(x)]/{$g(a)[Ib/Fb(x)-1]+1}) représentant le rapport des deux expressions intermédiaires corrigées en poids au moyen des coefficients de correction ($g(a)). Les expressions de jugement permettent de déterminer le point final de la gravure au plasma.
Designated States: JP, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)