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1. (WO1999040612) POST-CMP WET-HF CLEANING STATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/040612    International Application No.:    PCT/US1999/002485
Publication Date: 12.08.1999 International Filing Date: 08.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    08.09.1999    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Applicants: SPEEDFAM-IPEC CORPORATION [US/US]; 305 North 54th Street Chandler, AZ 85226 (US)
Inventors: GUPTA, Anand; (US).
KARLSRUD, Chris; (US).
GOPALAN, Periya; (US)
Agent: YIM, Peter, J.; Snell & Wilmer One Arizona Center 400 East Van Buren Street Phoenix, AZ 85004-0001 (US)
Priority Data:
09/020,979 09.02.1998 US
Title (EN) POST-CMP WET-HF CLEANING STATION
(FR) POSTE DE NETTOYAGE AU FLUORURE D'HYDROGENE APRES TRAITEMENT PLANAR CHIMIQUE ET MECANIQUE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a method for cleaning semiconductor work pieces following a Chemical Mechanical Planarization ('CM P') procedure. Initially, a work piece is scrubbed to remove som e of the slurry material and other contaminants on the surfaces of the work piece. Next, the work piece is transported into a HF cleaning station wherein the work piece is positioned horizontally such that both the upper and lower surfaces are substantially exposed. The work piece then is immersed in a hydrogen fluoride ('HF') solution which is circulated around the various surfaces o f the work piece. The work piece is immersed in the HF solution for a sufficient length of time to remove an appropriate layer of oxide, thereby removing contaminants and smoothing micro scratches from the surfaces of the work piece.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage de pièces de travail à semiconducteur, intervenant après le traitement planar chimique et mécanique. Les pièces sont d'abord brossées, ce qui permet d'éliminer les suspensions de matériaux et autres contaminants en surface. Ensuite, les pièces sont acheminées vers un poste de nettoyage au fluorure d'hydrogène, c'est-à-dire placées horizontalement de manière à exposer sensiblement les surfaces inférieures et supérieures. Après quoi, les pièces sont immergées dans une solution de fluorure d'hydrogène mise en circulation autour des différentes surfaces de pièce. On plonge lesdites pièces dans la solution considérée pendant une période suffisamment longue pour éliminer une couche d'oxyde appropriée, ce qui permet d'ôter les contaminants et de lisser les micro-rayures en surface.
Designated States: DE, GB, JP, KR, SG.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)