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1. (WO1999040600) GATE ELECTRODE STRUCTURE FOR FIELD EMISSION DEVICES AND METHOD OF MAKING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/040600    International Application No.:    PCT/US1999/002675
Publication Date: 12.08.1999 International Filing Date: 10.02.1999
IPC:
H01J 3/02 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: FED CORPORATION [US/US]; Hudson Valley Research Park 1580 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventors: MARINO, Jeffrey, R.; (US).
HO, Joseph, K.; (US)
Agent: COYNE, Patrick, J.; Collier, Shannon, Rill & Scott, PLLC Suite 400 3050 K Street, N.W. Washington, DC 20007 (US)
Priority Data:
09/021,317 10.02.1998 US
Title (EN) GATE ELECTRODE STRUCTURE FOR FIELD EMISSION DEVICES AND METHOD OF MAKING
(FR) STRUCTURE D'ELECTRODE DE GRILLE POUR DISPOSITIFS D'EMISSION PAR EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Field emission devices may include emitter wells formed in a body of dielectric material. A gate conductor may be provided along the upper surface of the dielectric material. A gate hole may be provided in the gate conductor directly above each of the emitter wells. A method for forming the gate holes and emitter wells is disclosed. The method includes the steps of providing a first gate conductor layer on a dielectric layer. A pattern of second gate conductor material may be formed over the first gate conductor layer, said pattern defining gate holes in the second gate conductor material. The gate holes may then be completed and emitter wells formed by etching through the first gate conductor layer and into the dielectric layer using an etch that selectively etches the first gate conductor layer and the dielectric layer, and does not etch substantially the second gate conductor material.
(FR)Les dispositifs d'émission par effet de champ peuvent comprendre des puits émetteurs formés dans un corps d'un matériau diélectrique. Un conducteur de grille peut être prévu le long de la surface supérieure du matériau diélectrique. Un trou de grille peut être prévu dans le conducteur de grille, directement au-dessus de chacun des puits émetteurs. L'invention concerne un procédé de formation des trous de grille et des puits émetteurs. Le procédé consiste à appliquer une première couche de conducteur de grille sur une couche diélectrique. Un motif du deuxième matériau conducteur de grille peut être formé sur la première couche de conducteur de grille, ledit motif définissant des trous de grille dans le deuxième matériau conducteur de grille. Les trous de grille peuvent alors être complétés, et des puits émetteurs sont formés par gravure dans la première couche de conducteur de grille et dans la couche diélectrique en utilisant un graveur gravant sélectivement la première couche de conducteur de grille et la couche diélectrique, mais ne gravant pas sensiblement le deuxième matériau conducteur de grille.
Designated States: European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)