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1. (WO1999040243) METHOD OF PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/040243    International Application No.:    PCT/JP1999/000431
Publication Date: 12.08.1999 International Filing Date: 02.02.1999
IPC:
C30B 15/00 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0041 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIKAWA, Hideshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIKAWA, Hideshi; (JP)
Agent: MORI, Masazumi; 9-10, Honcho 2-chome Nakano-ku Tokyo 164-0012 (JP)
Priority Data:
10/23676 04.02.1998 JP
10/323554 13.11.1998 JP
Title (EN) METHOD OF PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER
(FR) PROCEDE SERVANT A PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abstract: front page image
(EN)A method of producing a silicon single crystal grown by the Czochralski method, wherein a crystal with a predetermined length is pulled up while the average pulling speed is changed a plurality of times, the relationship between the average pulling speed of each pulling length and the OSF ring diameter is found, an average pulling speed pattern for producing/vanishing OSF rings at desired positions according to the results of the relationship, and a crystal is grown in accordance with the average pulling speed pattern.
(FR)Procédé servant à produire un monocristal de silicium, dont on effectue la croissance au moyen du procédé de Czochralski, ce qui consiste à étirer un cristal de longueur prédéterminée, tandis qu'on modifie une pluralité de fois la vitesse moyenne d'étirage, à établir le rapport entre la vitesse moyenne d'étirage de chaque longueur d'étirage et le diamètre d'anneau OSF, à déterminer une configuration de vitesse moyenne d'étirage afin de faire apparaître et disparaître des anneaux OSF à des positions souhaitées en fonction des résultats de ce rapport et à réaliser la croissance du monocristal selon la configuration de vitesse moyenne d'étirage.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)