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1. (WO1999040235) METHOD FOR ETCHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/040235    International Application No.:    PCT/US1999/000381
Publication Date: 12.08.1999 International Filing Date: 15.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    27.08.1999    
IPC:
C03C 17/23 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), C04B 41/53 (2006.01), C09K 13/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: FELDMAN TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 5 Hangar Way Watsonville, CA 95076 (US)
Inventors: McLEAN, Douglas; (US).
FELDMAN, Bernard; (US)
Agent: ZOLTICK, Martin, M.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C. Suite 400 1755 Jefferson Davis Highway Arlington, VA 22202 (US)
Priority Data:
09/021,375 10.02.1998 US
Title (EN) METHOD FOR ETCHING
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE
Abstract: front page image
(EN)Method for etching metal oxide films, especially tin oxide on a substrate in which a metal (Zn) is deposited on said film and etching is performed by a mixture of an acid, such as hydrochloric acid (HC1) and a metal dissolution agent, such as ferric chloride. The hydrochloric acid reacts with the zinc to produce active hydrogen which reduces the tin oxide to tin, which in turn is etched with the hydrochloric acid.
(FR)L'invention a trait à un procédé d'attaque chimique de couches minces d'oxyde métallique, notamment de l'oxyde d'étain, sur un substrat dans lequel un métal (Zn) est déposé sur ladite couche mince et l'attaque chimique est exécuté à l'aide d'un mélange d'un acide, tel que l'acide chlorhydrique (HCl) et d'un agent de dissolution métallique, tel que le chlorure ferrique. L'acide chlorhydrique réagit avec le zinc pour produire de l'hydrogène actif réduisant l'oxyde d'étain en étain, lequel à son tour est attaqué par l'acide chlorhydrique.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)