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1. (WO1999039394) X-Y ADDRESSABLE ELECTRIC MICROSWITCH ARRAYS AND SENSOR MATRICES EMPLOYING THEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039394    International Application No.:    PCT/US1999/002239
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 02.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    01.09.1999    
IPC:
H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/30 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: UNIAX CORPORATION [US/US]; 6780 Cortona Drive Santa Barbara, CA 93117 (US)
Inventors: YU, Gang; (US).
CAO, Yong; (US)
Agent: BENZ, William, H.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, L.L.P. P.O. Box 1404 Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Priority Data:
60/073,411 02.02.1998 US
Title (EN) X-Y ADDRESSABLE ELECTRIC MICROSWITCH ARRAYS AND SENSOR MATRICES EMPLOYING THEM
(FR) RESEAUX DE MICRORUPTEURS A ADRESSAGE X-Y ET MATRICES DE CAPTEURS LES UTILISANT
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates generally to fabricating two-terminal electric microswitches comprising thin semiconductor films and using these microswitches to construct column-row (x-y) addressable microswitch matrices. These microswitches are two terminal devices through which electric current and electric potential (or their derivates or integrals) can be switched on and off by the magnitude or the polarity of the external bias. The microswitches are made from semiconducting thin films in an electrode/semiconductor/electrode, thin film configuration. Column-row addressable electric microswitch matrices can be made in large areas, with high pixel density. Such matrices can be integrated with a sensor layer with electronic properties which vary in response to external physical conditions (such as photon radiation, temperature, pressure, magnetic field and so on), thereby forming a variety of detector matrices.
(FR)L'invention se rapporte de manière générale à la fabrication de microrupteurs à deux bornes comprenant de minces films semi-conducteurs ainsi qu'à l'utilisation de ces microrupteurs pour créer des matrices de microrupteurs à adressage colonne-ligne (x-y). Ces microrupteurs se présentent comme des dispositifs à deux bornes au moyen desquels on peut commander le courant et le potentiel électriques (ou leurs dérivés ou intégraux) en tout ou rien par la magnitude ou la polarité du courant de polarisation extérieur. Les microrupteurs sont fabriqués à partir de minces films semi-conducteurs possédant une configuration électrode/semi-conducteur/électrode à film mince. On peut fabriquer des matrices de microrupteurs électriques à adressage par ligne ou par colonne dans des zones larges, avec une densité de pixels élevée. Ces matrices peuvent être intégrées à des couches de détection à propriétés électroniques, qui se modifient en fonction des conditions physiques extérieures (telles que le rayonnement en photons, la température, la pression, le champ magnétique, etc.), permettant ainsi de former plusieurs matrices de détecteurs.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)