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1. (WO1999039390) METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039390    International Application No.:    PCT/JP1999/000257
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 22.01.1999
IPC:
H01L 31/075 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: CITIZEN WATCH CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0428 (JP) (For All Designated States Except US).
YANAGIMACHI, Shinzo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAYAMA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YANAGIMACHI, Shinzo; (JP).
NAKAYAMA, Satoshi; (JP)
Agent: OSAWA, Takashi; Room 818, Ikebukuro White House Building 20-2, Higashi Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 170-0013 (JP)
Priority Data:
10/15486 28.01.1998 JP
Title (EN) METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE PILE SOLAIRE
Abstract: front page image
(EN)A method of producing a solar cell device comprises forming a transparent oxide electrode (12) on the surface of an insulating substrate (10), cleaning the surface of the insulating substrate (10) and the surface of the transparent oxide electrode (12) with a halogen gas having a saturated vapor pressure higher than that of the etching gas used for forming the transparent oxide electrode (12), forming a surface treatment layer (14), a silicon nitride film (16), a p-type semiconductor layer (18), a buffer layer (20), an intrinsic layer (22), an n-type semiconductor layer (24), a metal electrode (26) in order of mention, thus forming a multilayer structure. Because of the cleaning step, the surfaces of the insulating substrate (10) and the transparent oxide electrode (12) are so clean that the transparency is high and a desired light transmittance is achieved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de pile solaire, consistant à former une électrode d'oxyde (12) transparente sur la surface d'un substrat isolant (10), à nettoyer la surface de ce substrat (10) ainsi que la surface de l'électrode d'oxyde (12) transparente avec un gaz halogène ayant une tension de vapeur saturée supérieure à celle du gaz d'attaque utilisé pour produire l'électrode d'oxyde (12) transparente; à former, en suivant l'ordre mentionné, une couche de traitement (14) de surface, un film (16) de nitrure de silicium, une couche de semi-conducteur (18) de type p, une couche tampon (20), une couche intrinsèque (22), une couche de semi-conducteur (24) de type n, une électrode métallique (26), ce qui produit une structure multicouche; Du fait du nettoyage, les surfaces du substrat isolant (10) sont amenées à un état de propreté tel que leur transparence est élevée et que la transmission de lumière désirée est réalisée.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)