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1. (WO1999039388) SEMICONDUCTOR INSULATING STRUCTURE WITH REDUCED SURFACE FIELD STRENGTH AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAID STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039388    International Application No.:    PCT/DE1999/000118
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 19.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    08.07.1999    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PETERS, Dethard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÖRNER, Reinhold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEINERT, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MITLEHNER, Heinz; (DE).
PETERS, Dethard; (DE).
SCHÖRNER, Reinhold; (DE).
WEINERT, Ulrich; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Priority Data:
198 03 424.5 29.01.1998 DE
Title (DE) HALBLEITER-ISOLATOR-STRUKTUR MIT REDUZIERTER FELDSTÄRKE AN DER OBERFLÄCHE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
(EN) SEMICONDUCTOR INSULATING STRUCTURE WITH REDUCED SURFACE FIELD STRENGTH AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAID STRUCTURE
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTEUR-ISOLANT A INTENSITE DE CHAMP REDUITE EN SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
Abstract: front page image
(DE)Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Bauelement zu schaffen, bei dem die maximale Feldstärke in dem Halbleitersubstrat ausgenutzt werden kann, ohne daß es zu einer Degradation der elektrischen Eigenschaften einer Isolatorschicht kommt, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements anzugeben. Die erfindungsgemäße durch Feldeffekt gesteuerte vertikale Halbleiter-Isolator-Struktur ist dadurch gekennzeichnet, daß in dem Driftgebiet jeweils ein Inselbereich von einem zweiten Leitungstyp angeordnet ist. Die vertikale Halbleiter-Isolator-Struktur wird dadurch hergestellt, daß eine erste Epitaxieschicht eines ersten Leitungstyps auf das Halbleitersubstrat aufgewachsen wird, Inselbereiche eines zweiten Leitungstyps in oder auf der ersten Epitaxieschicht angeordnet werden und eine zweite Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps auf der ersten Epitaxieschicht mit den Inselbereichen aufgewachsen wird.
(EN)The invention has the aim of providing a component in which maximum field strength in the semiconductor substrate can be used without causing degradation of the electrical properties of the insulating layer and a method for producing such a component. The inventive vertical field effect semiconductor insulating structure is characterized in that an island area having a second type of conduction is arranged in the drift area. The vertical semiconductor insulating structure is produced by growing a first epitaxial layer of a first type of conduction on the semiconductor substrate, by arranging the island areas of a second type of conduction in or on the first epitaxial layer and by growing a second epitaxial layer of the first type of conduction on the first epitaxial layer with the island areas.
(FR)L'invention a pour but de fournir un composant pour lequel l'intensité de champ maximale dans le substrat semi-conducteur puisse être utilisée sans nuire aux propriétés électriques d'une couche isolante, ainsi que de fournir un procédé de fabrication d'un tel composant. La structure verticale semi-conducteur-isolant contrôlée par effet de champ est caractérisée en ce qu'une zone d'îlots d'un deuxième type de conduction est disposée dans le domaine de migration. Le procédé de fabrication de la structure verticale semi-conducteur-isolant est caractérisé en ce qu'une première couche épitaxiée d'un premier type de conduction est développée sur le substrat semi-conducteur, des zones d'îlots d'un deuxième type de conduction sont disposées dans/ ou sur la première couche épitaxiée, et en ce qu'une deuxième couche épitaxiée du premier type de conduction est développée sur la première couche épitaxiée avec les zones d'îlots.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)