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1. (WO1999039384) METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039384    International Application No.:    PCT/US1999/001255
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 21.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    01.09.1999    
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716-9632 (US)
Inventors: THAKUR, Randhir, P.; (US)
Agent: VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
09/017,453 02.02.1998 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)In the formation of semiconductor devices, a processing method is provided, including steps for forming an oxide layer. The embodied methods involve a series of oxidation steps, with optical interposed cleanings, as well as an optional conditioning step after oxidation. In a preferred embodiment, these steps are clustered and transportation between the clustered process chambers takes place in a controlled environment such as nitrogen or a vacuum. In some embodiments, the method provides an oxide layer to be used as part of the device, such as a tunnel oxide for a flash-EEPROM, or as a general gate oxide. Alternatively, the steps can be used to sculpt through oxidation various levels of a substrate, thereby allowing for embedded memory architecture. Cleaning between oxidation steps offers the advantage of providing a more defect-free oxide layer or providing access to a more defect-free level of substrate.
(FR)Dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs, le procédé de traitement consiste à former une couche d'oxyde. Les procédés réalisés comprennent une série d'étapes d'oxydation, entrecoupées d'éventuels nettoyages, ainsi qu'une étape éventuelle de conditionnement après oxydation. Selon une réalisation préférée, ces étapes sont groupées, et l'acheminement entre les chambres de traitement groupées a lieu dans un environnement contrôlé tel l'azote ou un vide. Dans certaines réalisation, la couche d'oxyde produite selon le procédé est utilisée comme partie intégrante du dispositif tel qu'un oxyde de tunnel pour mémoire flash, ou comme oxyde de grille générale. Selon d'autres variantes, les étapes peuvent être utilisées pour sculpter par oxydation divers niveaux d'un substrat, ce qui permet d'obtenir une architecture mémoire encastrée. Le nettoyage entre les étapes d'oxydation offre l'avantage d'avoir une couche d'oxyde pratiquement exempte de défauts ou d'avoir accès à un niveau du substrat pratiquement exempt de défauts.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)