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1. (WO1999039370) METHOD OF TRAPPING IONS IN AN ION TRAPPING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039370    International Application No.:    PCT/GB1999/000083
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 12.01.1999
Chapter 2 Demand Filed:    25.08.1999    
IPC:
H01J 49/42 (2006.01)
Applicants: SHIMADZU RESEARCH LABORATORY (EUROPE) LTD. [GB/GB]; Wharfside Trafford Wharf Road Manchester M17 1GP (GB) (For All Designated States Except US).
KAWATO, Eizo [JP/GB]; (GB) (For US Only).
SMITH, Alan, Joseph [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: KAWATO, Eizo; (GB).
SMITH, Alan, Joseph; (GB)
Agent: MATHISEN, MACARA & CO.; The Coach House 6-8 Swakeleys Road Ickenham Uxbridge UB10 8BZ (GB)
Priority Data:
9802112.4 30.01.1998 GB
Title (EN) METHOD OF TRAPPING IONS IN AN ION TRAPPING DEVICE
(FR) PROCEDE DE CAPTURE D'IONS DANS UN PIEGE A IONS
Abstract: front page image
(EN)A quadrupole ion trapping device has a ring electrode (11) and two end-cap electrodes (12, 13). Ions are introduced into a trapping region (15) of the ion trapping device via a hole (14) in a first of the end-cap electrodes (12) and are retarded by application of a DC retarding voltage to the second of the end-cap electrodes (13). The retarding voltage is removed when the retarted ions are about to change their direction of motion towards the first end-cap electrode (12), and an ion trapping field is established by applying a radio frequency voltage to the ring electrode (11) when the ions are inside the ion trapping device.
(FR)L'invention porte sur un piège à ions quadripolaire à une électrode annulaire (11) et deux électrodes bouchons (12, 13). Les ions, qui pénètrent dans la zone de capture du dispositif par un trou (14) pratiqué dans l'une des électrodes (12) bouchons, sont retardés par une tension c.c. appliquée à la deuxième électrode bouchon (13). Lorsque les ions retardés sont sur le point de modifier leur trajectoire en direction de la première électrode bouchon (12), on coupe la tension retardatrice, et on crée un champ de capture en appliquant à l'électrode annulaire (11) une tension à haute fréquence alors que les ions se trouvent à l'intérieur du piège.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)