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1. (WO1999039240) LIGHT MODULATOR ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/039240    International Application No.:    PCT/GB1999/000348
Publication Date: 05.08.1999 International Filing Date: 02.02.1999
Chapter 2 Demand Filed:    17.08.1999    
IPC:
G02F 1/136 (2006.01)
Applicants: CAMBRIDGE UNIVERSITY TECHNICAL SERVICES LTD. [GB/GB]; The Old Schools Cambridge CB2 1TS (GB) (For All Designated States Except US).
WILKINSON, Timothy, David [GB/GB]; (GB) (For US Only).
CROSSLAND, William, Alden [GB/GB]; (GB) (For US Only).
TAN, Kim, Leong [GB/GB]; (GB) (For US Only).
PRATT, Edward, Martin [GB/GB]; (GB) (For US Only).
MEARS, Robert [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: WILKINSON, Timothy, David; (GB).
CROSSLAND, William, Alden; (GB).
TAN, Kim, Leong; (GB).
PRATT, Edward, Martin; (GB).
MEARS, Robert; (GB)
Agent: GIBBS, Christopher, Stephen; Haseltine Lake & Co. Imperial House 15-19 Kingsway London WC2B 6UD (GB)
Priority Data:
9802219.7 02.02.1998 GB
Title (EN) LIGHT MODULATOR ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) MODULATEUR DE LUMIERE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)An infra-red light-modulating device comprises a semiconductor substrate (14), a layer of light-modulating material (15) such as liquid crystal on a first part of the substrate, and electrodes for addressing the light-modulating layer; the electrode in one side can be a common ITO layer (16), and the pixel electrodes (6) are formed by diffusions in the silicon (14). The drive circuitry (7) for addressing the light-modulating layer (15) via the electrodes is provided in a second part of the semiconductor substrate to the side of the pixels. In this way a transmissive modulator is formed, since the electrodes are made of a material (silicon) transparent to the wavelength of the light used. The modulating effect is preferably doubled by reflecting the light back through the modulator with a mirror (18).
(FR)Composant servant à moduler la lumière infrarouge et comprenant un substrat semi-conducteur (14), une couche de matériau (15) modulant la lumière, tel que des cristaux liquides sur une première partie du substrat, ainsi que des électrodes d'accès à la couche de modulation de lumière; l'électrode d'un côté peut être une couche ITO commune (16) et les électrodes de pixels (6) sont constituées par des diffusions dans le silicium (14). Le circuit d'attaque (7) servant à accéder à la couche de modulation de lumière (15) par l'intermédiaire des électrodes est situé dans une deuxième partie du substrat semi-conducteur vers le côté des pixels. Ceci permet d'obtenir un modulateur transmissif, étant donné que les électrodes sont fabriquées en un matériau (silicium) transparent à la longueur d'onde de la lumière mise en application. L'effet modulant est, de préférence, doublé par le retour de la réflexion de la lumière à travers le modulateur au moyen d'un miroir (18).
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)