(EN) A memory cell (1) is provided with a MOS transistor (5) and a data holding capacitor (7). One of the two input-output electrodes of the transistor (5) is connected to a bit line (36) and the gate electrode of the transistor (5) is connected to a word line (37). The first electrode (6) of the capacitor (7) is connected to the other input-output electrode of the transistor (5), and the second electrode (14) is connected to a potential control circuit (40). When the data held in the memory cell (5) is HIGH, the potential control circuit (40) changes the potential at the second electrode (14) to a ground potential GND from a precharge potential VCC/2 after the write/read of the data held in the memory cell (1). When the data held in the memory cell (5) is LOW, the circuit (40) changes the potential at the second electrode (14) to a power supply potential VCC from the precharge potential VCC/2 after the write/read of the data.
(FR) L'invention concerne une cellule mémoire (1) pourvue d'un transistor MOS (5) et d'un condensateur (7) mémoire de données. L'une des deux électrodes d'entrée-sortie du transistor (5) est reliée à une ligne (36) de bits, l'électrode de commande du transistor (5) étant relié à une ligne (37) de mots. La première électrode (6) du condensateur (7) est reliée à l'autre électrode d'entrée-sortie du transistor (5), la deuxième électrode (14) étant reliée à un circuit (40) de commande de potentiel. Lorsque les données renfermées dans la cellule mémoire (5) déterminent un niveau haut, le circuit (40) de commande de potentiel fait passer le potentiel de la deuxième électrode (14) d'un potentiel de précharge (VCC/2) à un potentiel de masse (GND), en réaction à l'écriture/lecture des données renfermées dans la cellule mémoire (1). Lorsque les données renfermées dans la cellule mémoire (5) déterminent un niveau bas, après écriture/lecture des données, le circuit (40) fait passer le potentiel de la deuxième électrode (14) d'un potentiel de précharge (VCC/2) à un potentiel d'alimentation électrique (VCC).