WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1999014799) METHODS FOR FORMING SHALLOW JUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/014799    International Application No.:    PCT/US1998/007661
Publication Date: 25.03.1999 International Filing Date: 15.04.1998
Chapter 2 Demand Filed:    15.04.1999    
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventors: DOWNEY, Daniel, F.; (US)
Agent: McCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210 (US).
Mc Clellan William R. Wolf, Greenfield & Sacks P.C.; 600 Atlantic Avenue Boston Massachusetts 02210 (US)
Priority Data:
08/929,973 16.09.1997 US
Title (EN) METHODS FOR FORMING SHALLOW JUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDES DE FORMATION DE JONCTIONS PEU PROFONDES DANS DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a shallow junction in a semiconductor wafer includes the steps of implanting a dopant material, such as boron, into the wafer, selecting a fluorine dose and energy corresponding to the dopant material implant to produce a desired junction depth less than 1000 angstroms and a desired sheet resistance, and implanting fluorine into the semiconductor wafer at the selected dose and energy. The dopant material is activated by thermal processing of the semiconductor wafer at a selected temperature for a selected time to form the shallow junction. Residual fluorine and wafer damage may be removed by low temperature annealing following the step of activating the dopant material.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une jonction peu profonde dans une tranche de semi-conducteur comprenant les étapes suivantes: implantation dans la tranche d'un dopant tel que du bore: sélection d'une quantité de fluor et de l'énergie correspondant à l'implant du dopant pour produire une profondeur de jonction de moins de 1000 Å et la résistance de feuille voulue; et implantation dans la tranche de semi-conducteur de fluor d'une quantité et d'une énergie sélectionnées. On active le dopant par un traitement thermique à une température donnée et pendant un temps donné pour former une jonction peu profonde. Le fluor résiduel et les dommages faits à la tranche peuvent être éliminés par un recuit à basse température faisant suite à l'étape d'activation du dopant.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)