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1. (WO1999013501) BORDERLESS VIAS WITH CVD BARRIER LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/013501    International Application No.:    PCT/US1998/018012
Publication Date: 18.03.1999 International Filing Date: 31.08.1998
Chapter 2 Demand Filed:    18.02.1999    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: CHEN, Robert, C.; (US).
GREENLAW, David, C.; (US).
IACOPONI, John, A.; (US)
Agent: RODDY, Richard, J.; One AMD Place Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
BROOKES & MARTIN; 52-54 High Holborn London WC1V 6SE (GB)
Priority Data:
08/924,131 05.09.1997 US
Title (EN) BORDERLESS VIAS WITH CVD BARRIER LAYER
(FR) VIAS SANS FRONTIERES A COUCHE BARRIERE FORMEE PAR CVD
Abstract: front page image
(EN)Borderless vias are filled by initially depositing a thin, conformal layer of titanium nitride by chemical vapor deposition to cover an undercut, etched side surface of a lower metal feature. A metal, such as tungsten, is subsequently deposited to fill the borderless via. Embodiments include thermal decomposition of an organic-titanium compound, such as tetrakis-dimethylamino titanium, and treating the deposited titanium nitride in an H¿2?/N¿2? plasma to lower its resistivity.
(FR)On remplit des vias sans frontières en commençant par déposer une mince couche de nitrure de titane de même forme par dépôt de vapeur chimique pour couvrir une surface décapée concave d'un métal inférieur. On dépose ensuite un métal tel que du tungstène pour remplir le via. Dans certaines variantes, on utilise la décomposition thermique d'un composé titano-organique tel que du tétrakis-diméthylaminotitane, puis on traite le nitrure de titane ainsi déposé dans un plasma de H¿2?/N¿2? pour abaisser sa résistivité.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)