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1. (WO1999012170) A FERROELECTRIC DATA PROCESSING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/012170    International Application No.:    PCT/NO1998/000237
Publication Date: 11.03.1999 International Filing Date: 13.08.1998
Chapter 2 Demand Filed:    10.03.1999    
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: THIN FILM ELECTRONICS ASA [NO/NO]; P.O. Box 1872 Vika N-0124 Oslo (NO) (AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CU, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW only).
GUDESEN, Hans, Gude [NO/NO]; (NO) (For US Only).
NORDAL, Per-Erik [NO/NO]; (NO) (For US Only).
LEISTAD, Geirr, I. [NO/NO]; (NO) (For US Only)
Inventors: GUDESEN, Hans, Gude; (NO).
NORDAL, Per-Erik; (NO).
LEISTAD, Geirr, I.; (NO)
Priority Data:
973782 15.08.1997 NO
Title (EN) A FERROELECTRIC DATA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE DONNEES FERROELECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)In a ferroelectric data processing device for processing and/or storage of data with passive or electrical addressing a data-carrying medium is used in the form of a thin film (1) of ferroelectric material which by an applied electric field is polarized to determined polarization states or switched between these and is provided as a continuous layer in or adjacent to electrode structures in the form of a matrix. A logic element (4) is formed at the intersection between an x electrode (2) and a y electrode (3) of the electrode matrix. The logic element (4) is addressed by applying to the electrodes (2, 3) a voltage greater than the coercivity field of the ferroelectric material. Dependent on the polarization state and the form of the hysteresis loop of the ferroelectric material a distinct detection of the polarization state in the logic element (4) is obtained and it may also be possible to switch between the polarization states of the logic element, which hence may be used for implementing a bistable switch or a memory cell. The data processing device according to the invention may be stacked layerwise if the separate layers are separated by an electrical isolating layer and hence be used for implementing volumetric data processing devices.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement de données ferroélectrique destiné au traitement et/ou à la mémorisation de données avec un adressage électrique, le dispositif comprenant un support de données sous la forme d'un film mince (1) de matière ferroélectrique qui, par application d'un champ électrique, est polarisé dans des états de polarisation déterminés ou commutés entre ces états; ce film se présente comme une couche continue à l'intérieur ou à côté de structures d'électrodes en forme de matrice. Un élément logique (4) est formé à l'intersection entre une électrode x (2) et une électrode y (3) de la matrice d'électrodes. On adresse l'élément logique (4) par application aux électrodes (2, 3) d'une tension supérieure au champ coercitif de la matière ferroélectrique. En fonction de l'état de polarisation et de la forme du cycle d'hystérésis de la matière ferroélectrique, on obtient une détection distincte de l'état de polarisation de l'élément logique (4) et il est également possible d'effectuer une commutation entre les états de polarisation de l'élément logique qu'on peut alors utiliser pour configurer un commutateur bi-stable ou une cellule mémoire. Le dispositif de traitement de données selon l'invention peut être empilé en couches si les couches distinctes sont séparées par une couche d'isolation électrique et peuvent alors être utilisées dans la configuration de dispositifs de traitement de données volumétriques.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Norwegian (NO)