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1. (WO1999011103) METHOD FOR CONTROLLING PLASMA PROCESSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/011103    International Application No.:    PCT/JP1998/003571
Publication Date: 04.03.1999 International Filing Date: 11.08.1998
Chapter 2 Demand Filed:    11.01.1999    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107-8481 (JP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE only).
NAGASEKI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAZAKI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGASEKI, Kazuya; (JP).
YAMAZAKI, Hiroki; (JP)
Agent: KAMEYA, Yoshiaki; Shinjuku-Akebonobashi Building 1-12, Sumiyoshicho Shinjuku-ku Tokyo 162-0065 (JP)
Priority Data:
9/241821 22.08.1997 JP
Title (EN) METHOD FOR CONTROLLING PLASMA PROCESSOR
(FR) PROCEDE DE COMMANDE D'UNE UNITE DE TRAITEMENT A PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A plasma processor wherein a lower electrode (106) on which wafers (W) can be placed and an upper electrode (108) are positioned in a processing chamber (102) of an etching device (100) in a state where the electrodes (106 and 108) are faced oppositely to each other and the electrode (108) is connected to a first high-frequency power source (116) which can output a high-frequency plasma generating power through a first matching device (114). The lower electrode (106) is connected to a second high-frequency power source (122) which can output a high-frequency biasing power with a frequency relatively lower than that of the high-frequency plasma generating power through a second matching device (120). A steady high-frequency plasma generating power is impressed upon the upper electrode (108) from the first power source (116) and, at the same time, a power that can be matched to at least the high-frequency biasing power is impressed upon the lower electrode (106). After the matching period ends, the high-frequency biasing power impressed upon the electrode (106) is raised to a steady power. This constitution permits the prevention of both the decrease of the plasma density and the generation of an excessively high voltage across the electrodes when the high-frequency biasing power is impressed upon the lower electrode (106).
(FR)L'invention concerne une unité de traitement à plasma dans laquelle une électrode inférieure (106), sur laquelle des plaquettes (W) peuvent être placées, ainsi qu'une électrode supérieure (108) sont positionnées dans une chambre de traitement (102) d'un dispositif d'attaque (100), dans un état dans lequel les électrodes (106 et 108) se font face mutuellement en opposition, et l'électrode (108) est connectée à une première source d'énergie (116) à haute fréquence pouvant produire une énergie génératrice de plasma à haute fréquence à l'aide d'un premier dispositif d'appariement (114). L'électrode inférieure (106) est connectée à une seconde source d'énergie (122) à haute fréquence pouvant produire une énergie de polarisation à haute fréquence, avec une fréquence relativement inférieure à celle de l'énergie génératrice de plasma à haute fréquence, au moyen d'un second dispositif d'appariement (120). Une énergie génératrice de plasma à haute fréquence stable est appliquée à l'électrode supérieure (108) par la première source d'énergie (116) et, en même temps, une énergie pouvant être appariée avec au moins l'énergie de polarisation à haute fréquence est appliquée à l'électrode inférieure (106). Lorsque la période d'appariement s'achève, l'énergie de polarisation à haute fréquence appliquée à l'électrode (106) est élevée à une énergie stable. Cette constitution permet d'empêcher à la fois la diminution de la densité du plasma et la production d'une tension excessivement élevée dans les électrodes lorsque l'énergie de polarisation à haute fréquence est appliquée à l'électrode inférieure (106).
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)