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1. (WO1999009652) CIRCUIT FOR THE SWITCHING OF LOADS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/009652    International Application No.:    PCT/EP1998/001538
Publication Date: 25.02.1999 International Filing Date: 17.03.1998
Chapter 2 Demand Filed:    22.10.1998    
IPC:
H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
KOELSCH, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TOPP, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KOELSCH, Volker; (DE).
TOPP, Rainer; (DE)
Priority Data:
197 35 543.9 16.08.1997 DE
Title (DE) SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SCHALTEN VON LASTEN
(EN) CIRCUIT FOR THE SWITCHING OF LOADS
(FR) CIRCUIT DE COMMUTATION DE CHARGES
Abstract: front page image
(DE)Es wird vorgeschlagen, eine Schaltungsanordnung zum Schalten von Lasten aufgrund eines Einschaltsignals (INPUT - 5), mit mindestens zwei in Reihe geschalteten, jeweils über eine Logikschaltung (3, 4) ansteuerbaren MOSFET-Endstufen (1, 2), wobei die Spannungsversorgung der nachgeschalteten MOSFET-Endstufe (2) über die erste MOSFET-Endstufe (1) erfolgt, zur gegenseitigen Überwachung beider MOSFET-Endstufen (1, 2) auf Kurzschluß so auszugestalten, daß eine Verbindungsleitung (7) zwischen den Logikschaltungen (3, 4) vorgesehen ist, über die eine Eingangsspannung (EN) an der Logikschaltung (4) der nachgeschalteten MOSFET-Endstufe (2) anliegt, daß Mittel zum Überwachen der Versorgungsspannung (LOAD1) der nachgeschalteten MOSFET-Endstufe (2) vorgesehen sind, wobei diese Mittel durch das Einschaltsignal (INPUT - 5) aktiviert werden und ein Einschalten der ersten MOSFET-Endstufe (1) verhindern, wenn die Versorgungsspannung (LOAD1) unterhalb eines vorbestimmten Wertes liegt (Kurzschluß der nachgeschalteten MOSFET-Endstufe (2)), daß Mittel vorgesehen sind zum Verändern der Eingangsspannung (EN), wenn die erste MOSFET-Endstufe (1) aufgrund des Einschaltsignals (INPUT - 5) eingeschaltet wird, und daß Mittel zum Vergleichen der Eingangsspannung (EN) und der Versorgungsspannung (LOAD1) vorgesehen sind, wobei diese Mittel ein Einschalten der zweiten MOSFET-Endstufe (2) verhindern, wenn zwar die Versorgungsspannung (LOAD1) ein bestimmtes Potential überschreitet, die Eingangsspannung (EN) aber unter einem bestimmten Potential liegt (Kurzschluß der ersten MOSFET-Endstufe (1)).
(EN)The invention concerns a circuit for the switching of loads on the basis of an activated signal (INPUT - 5) with at least two connected series. Said connected series result from a logic circuit (3, 4) of controllable MOSFET-output stages (1, 2), by which the electricity supply to the series-connected MOSFET-output stage (2) passes over the first MOSFET-output stage (1). The invention also relates to the mutual monitoring of both MOSFET-output stages (1, 2) to disconnect short circuits by means of a provided connecting line (7) between the logic circuits (3, 4). An input voltage (EN) to the logic circuit (4) of the series-connected MOSFET-output stage (2) travels on said connecting line, thereby providing the average monitoring of electricity supply (LOAD1) in relation to the series-connected MOSFET-output stage (2). These means are activated through the activated signal (INPUT - 5) and prevent the turning on of the first MOSFET-output stage (1) if the electricity supply (LOAD1) is below a predetermined value (short circuit of the series-connected MOSFET-output stage (2)). Means are provided for the adjustment of the input voltage (EN) if the first MOSFET-output stage (1) is turned on by the activating signal (INPUT - 5). Also provided are means for comparing the input voltage (EN) and the electricity supply (LOAD1), whereby they prevent the activation of the second MOSFET-output stage (2) if the supply of electricity (LOAD1) exceeds a certain potential and the input voltage (EN) is below a certain potential (short-circuit of the first MOSFET-output stage (1)).
(FR)L'invention concerne un circuit permettant de commuter des charges sur la base d'un signal de mise en circuit (INPUT - 5). Le circuit comprend au moins deux étages de sortie constitués d'un transistor MOS (1, 2), disposés en série et commandés par un circuit logique (3, 4). L'alimentation en tension du transistor MOS (2) d'aval par l'intermédiaire du premier transistor MOS (1) se fait de façon que les deux transistors (1, 2) se protègent réciproquement d'un court-circuit. A cet effet, un circuit de connexion (7) entre les circuits logiques (3, 4) applique la tension d'entrée (EN) au circuit logique (4) du transistor d'aval (2). Un dispositif permettant de contrôler la tension d'alimentation (LOAD1) du transistor d'aval (2) est activé par le signal de mise en circuit (INPUT - 5) et empêche la mise en circuit du premier transistor (1) quand la tension d'alimentation (LOAD1) est inférieure à une valeur prédéterminée (court-circuit du transistor d'aval (2)). Un dispositif permet de modifier la tension d'alimentation (EN) quand le premier transistor (1) est mis en circuit sur la base du signal de mise en circuit (INPUT - 5). Un dispositif permettant de comparer la tension d'entrée (EN) et la tension d'alimentation (LOAD1) empêche la mise en circuit du second transistor (2) quand la tension d'alimentation (LOAD1) dépasse un certain potentiel, mais que la tension d'entrée (EN) est inférieure à un certain potentiel (court-circuit du premier transistor (1)).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)