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1. (WO1999008351) SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1999/008351 International Application No.: PCT/JP1998/000283
Publication Date: 18.02.1999 International Filing Date: 22.01.1998
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/42 (2006.01)
Applicants: KONDO, Takayuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
KANEKO, Takeo[JP/JP]; JP (UsOnly)
MORI, Katsumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SEIKO EPSON CORPORATION[JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163, JP (AllExceptUS)
Inventors: KONDO, Takayuki; JP
KANEKO, Takeo; JP
MORI, Katsumi; JP
Agent: SUZUKI, Kisaburo ; Seiko Epson Corporation 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163, JP
Priority Data:
9/21662211.08.1997JP
Title (EN) SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION PAR LA SURFACE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) A light source of a semiconductor laser beam scanner which has high resolution at the time of scanning, is suitable for emitting a laser beam from the surface, and has a high degree of freedom of mounting is disclosed. A surface emitting semiconductor laser having at least a first mirror (102), an active layer (103), a current constriction layer (113), a contact layer (106) and a second mirror (111) on a semiconductor substrate (101). The current constriction layer (113) is constitued by a stripe-shaped AlAs layer (105) and an aluminum oxide layer (108) so formed as to surround the AlAs layer (105). The contact layer (106) is formed in the shape of comb tooth (109) in a region where it overlaps the aluminum oxide layer, and mutually independent contact electrodes (110) are formed respectively on the upper surfaces of the comb teeth (109) of the contact layer.
(FR) L'invention porte sur la source lumineuse d'un dispositif de balayage laser à semi-conducteur qui possède une haute résolution au moment du balayage, est approprié pour émettre un faisceau laser par la surface, et présente une grande liberté de montage. L'invention porte en outre sur un laser à semi-conducteur à émission par la surface dont le substrat à semi-conducteur (101) comporte au moins un premier miroir (102), une couche active (103), une couche d'étranglement du courant (113), une couche de contact (106) et un second miroir (111). La couche (113) d'étranglement du courant est constituée d'une couche d'AlAS (105) se présentant sous forme de bande et d'une couche d'oxyde d'aluminium (108) formée de manière à entourer la couche d'AlAs (105). La couche de contact (106) a la forme d'une dent (109) de peigne dans une région où elle chevauche la couche d'oxyde d'aluminium, et des électrodes (110) de contact indépendantes sont formées sur les surfaces supérieures des dents (109) de peigne de la couche de contact.
Designated States: JP, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)