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1. (WO1999008308) PLASMA VAPOR DEPOSITION WITH COIL SPUTTERING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/008308    International Application No.:    PCT/US1998/016317
Publication Date: 18.02.1999 International Filing Date: 06.08.1998
Chapter 2 Demand Filed:    02.03.1999    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: HONG, Liubo; (US)
Agent: KONRAD, William, K.; Law Office of William Konrad Suite 511 1180 S. Beverly Drive Los Angeles, CA 90035 (US).
KONRAD, William, K.; Applied Materials, Inc. P.O. Box 450A Santa Clara, CA 95052 (US)
Priority Data:
08/907,382 07.08.1997 US
08/971,867 19.11.1997 US
Title (EN) PLASMA VAPOR DEPOSITION WITH COIL SPUTTERING
(FR) DEPOT EN PHASE VAPEUR AU PLASMA AVEC PULVERISATION CATHODIQUE DE BOBINE
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for depositing a layer of a material which contains a metal on a workpiece surface, in an installation including a deposition chamber; a workpiece support providing a workpiece support surface within the chamber; a coil within the chamber, the coil containing the metal that will be contained in the layer to be deposited; and an RF power supply connected to deliver RF power to the coil in order to generate a plasma within the chamber, a DC self bias potential being induced in the coil when only RF power is delivered to the coil. A DC bias potential which is different in magnitude from the DC self bias potential is applied to the coil from a DC voltage source. In order to place a deposition chamber of a physical vapor deposition apparatus in which metal or other material is sputtered from a target and a coil in condition to effect deposition of a layer consisting of the sputtered material on a substrate subsequent to deposition, in the apparatus, of a layer containing a reaction compound of the sputtered material, the chamber is filled with a non-reactive gas and a voltage is applied to sputter from the target and coil any reaction compound which has coated the target and coil during deposition of the layer containing the reaction compound of the sputtered metal.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de dépôt d'une couche de matière contenant un métal sur une surface de pièce, dans une installation comprenant: une chambre de dépôt; un support de pièce servant de surface de support de pièce dans la chambre; une bobine se trouvant dans la chambre, la bobine contenant le métal contenu dans la couche à déposer; et une source d'énergie radioélectrique connectée de manière à fournir une énergie haute fréquence à la bobine afin de générer un plasma à l'intérieur de la chambre, un potentiel de polarisation automatique en courant continu étant induit dans la bobine lorsque seule de l'énergie haute fréquence est fournie à la bobine. Un potentiel de polarisation en courant continu de magnitude différente de celle du potentiel de polarisation automatique en courant continu est appliqué à la bobine à partir d'une source de tension en courant continu. Afin qu'une chambre de dépôt d'un appareil de dépôt en phase vapeur physique dans lequel un métal ou une autre matière est pulvérisé à partir d'une cible et d'une bobine, puisse effectuer le dépôt d'une couche formée de la matière pulvérisée sur un substrat après dépôt, dans l'appareil, d'une couche contenant un composé de réaction de la matière pulvérisée, on remplit la chambre d'un gaz non réactif et on applique une tension pour pulvériser à partir de la cible et de la bobine, tout composé de réaction ayant revêtu la cible et la bobine lors du dépôt de la couche contenant le composé de réaction du métal pulvérisé.
Designated States: JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)