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1. (WO1999005720) CMOS CIRCUIT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1999/005720 International Application No.: PCT/DE1998/002051
Publication Date: 04.02.1999 International Filing Date: 21.07.1998
Chapter 2 Demand Filed: 12.02.1999
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01)
Applicants: SCHWALKE, Udo[DE/DE]; DE (UsOnly)
KERBER, Martin[AT/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Inventors: SCHWALKE, Udo; DE
KERBER, Martin; DE
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 D-80506 München, DE
Priority Data:
197 31 203.921.07.1997DE
Title (EN) CMOS CIRCUIT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CIRCUIT CMOS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(DE) CMOS-SCHALTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to an integrated CMOS circuit, comprising a silicon substrate (1), a dielectric layer, an additional silicon layer (2) and MOS transistors having a source, a gate with gate dielectric (3b) and a drain. The gate dielectric (3b) contains nitrogen or a nitrogen compound. The nitrogen and/or the nitrogen compound prevents lateral oxidation between the silicon layers (1, 2) in the edge areas of the gate dielectric (3b).
(FR) L'invention concerne un circuit CMOS intégré comportant un substrat (1) en silicium, une couche diélectrique et une autre couche en silicium (2), ainsi que des transistors MOS présentant une source, une grille avec un diélectrique de grille (3b) et un drain. Ce diélectrique de grille (3b) contient de l'azote ou un composé azoté. L'azote et/ou le composé azoté empêchent une oxydation latérale entre les couches de silicum (1, 2) dans la région marginale du diélectrique de grille (3b).
(DE) Die Erfindung betrifft eine integrierte CMOS-Schaltung mit einem Substrat (1) aus Silizium, einer dielektrischen Schicht und einer weiteren Siliziumschicht (2) sowie mit MOS-Transistoren, die Source, Gate mit Gate-Dielektrikum (3b) und Drain aufweisen. Das Gate-Dielektrikum (3b) enthält Stickstoff oder eine Stickstoffverbindung. Der Stickstoff und/oder die Stickstoffverbindung verhindert eine laterale Oxidation zwischen den Siliziumschichten (1, 2) im Randbereich des Gate-Dielektrikums (3b).
Designated States: CN, JP, KR, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)