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1. (WO1999005232) POLISHING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1999/005232    International Application No.:    PCT/DE1998/002050
Publication Date: 04.02.1999 International Filing Date: 21.07.1998
Chapter 2 Demand Filed:    10.02.1999    
IPC:
C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin Strasse 53, D-81541 München (DE) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE only).
BRADL, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HEITZSCH, Olaf [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BRADL, Stephan; (DE).
HEITZSCH, Olaf; (DE)
Priority Data:
197 32 121.6 25.07.1997 DE
Title (DE) POLIERMITTEL FÜR HALBLEITERSUBSTRATE
(EN) POLISHING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PRODUIT DE POLISSAGE POUR SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Poliermittel mit einer Lösung und mit in der Lösung suspendierten Polierkörnern. Dieses Poliermittel zeichnet sich dadurch aus, daß die Polierkörner im wesentlichen aus einer ersten Substanz mit einer Glasübergangstemperatur T¿G? bestehen, und daß die Polierkörner einen Dotierstoff enthalten. Hierbei ist die Konzentration des Dotierstoffes so festgelegt, daß die Glasübergangstemperatur T¿G'? der dotierten Substanz geringer ist als die Glasübergangstemperatur T¿G? der undotierten ersten Substanz. Ein derartiges Poliermittel kann zum mikrokratzerfreien Planarisieren eines Halbleitersubstrats oder von auf ihm aufgebrachten Schichten verwendet werden.
(EN)The invention relates to a polishing agent with a solution having suspended polishing grains. The polishing agent is characterized in that the polishing grains substantially consist of a first substance with a glass transition temperature (T¿G?) and in that said grains contain a doping agent. The concentration of the doping agent is determined in such a way that the glass transition temperature (T¿G?) is lower than the glass transition temperature (TG) of the undoped first substance. Such a polishing agent can be used to smoothen the semiconductor substrate or the coatings applied thereon free from micro-scratches.
(FR)L'invention concerne un produit de polissage comportant une solution dans laquelle sont en suspension des grains de polissage. Ce produit de polissage est caractérisé en ce que les grains de polissage sont constitués essentiellement d'une première substance présentant une température de transition vitreuse T¿G?, et en ce qu'ils contiennent un agent de dopage. La concentration de ce dernier est déterminée de sorte que la température de transition vitreuse T¿G'? de la substance dopée soit inférieure à la température de transition vitreuse T¿G? de la première substance non dopée. Un tel produit de polissage peut s'utiliser pour rendre plane, sans micro-rayures, un substrat semi-conducteur ou bien les couches appliquées sur celui-ci.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)