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1. (WO1998053506) FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/053506    International Application No.:    PCT/JP1998/002207
Publication Date: 26.11.1998 International Filing Date: 18.05.1998
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho Ukyo-ku Kyoto-shi Kyoto 615-0045 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJIMORI, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Takashi; (JP).
FUJIMORI, Yoshikazu; (JP)
Agent: FURUTANI, Hideo; No. 2 Mizukawa-Building 23-20, Esaka-cho 1-chome Suita-City Osaka 564-0063 (JP)
Priority Data:
9/133965 23.05.1997 JP
Title (EN) FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) ELEMENT DE MEMOIRE FERROELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A ferroelectric film having a low permittivity and used for a ferroelectric memory element, and a ferroelectric film having a high melting point and used for a ferroelectric memory element. A FET (20) is constituted of a gate oxide film (24), a floating gate (26), a ferroelectric film (28) and a control gate (30) laminated in this order on a channel-forming region (CH) formed in a silicon semiconductor substrate (22). The ferroelectric film (28) is constituted of a thin film of a mixed crystal Sr2(Ta1-xNbx)2O7. Both Sr2Nb2O7 and Sr2Ta2O7 have a tetragonal crystalline structure and have nearly the same lattice constant. They have low specific inductivities and high melting points. However, Sr2Nb2O7 has too high a Curie temperature that is related to the ferroelectric property and Sr2Ta2O7 has too low a Curie temperature. Therefore, a mixed crystal Sr2(Ta1-xNbx)2O7 thereof is prepared to obtain a ferroelectric film (28) having a desired Curie Temperature.
(FR)L'invention concerne une couche mince ferroélectrique présentant une faible permitivité et utilisée pour un élément de mémoire ferroélectrique, ainsi qu'une couche mince ferroélectrique présentant un point de fusion élevé et utilisée pour un élément de mémoire ferroélectrique. Un transistor à effet de champ (20) se compose d'une couche mince (24) d'oxyde de grille, d'une grille flottante (26), d'une couche mince ferroélectrique (28) et d'une grille de commande (30) stratifiées dans cet ordre sur une région formant canal (CH) formée dans un substrat (22) en semi-conducteur au silicium. La couche mince ferroéletrique (28) se compose d'une couche mince d'un crystal mixte Sr2(Ta1-xNbx)2O7. Les deux Sr2Nb2O7 et Sr2Ta2O7 présentent une strusture crystalline tétragonale et possèdent presque la même constante de réseau. Ils présentent de faibles inductivités spécifiques et des points de fusion élevés. Toutefois, le Sr2Nb2O7 présente une température de Curie trop élevée rapportée à la propriété ferroélectrique et le Sr2Ta2O7 présente une température de Curie trop basse. Par conséquent, on a préparé un crystal mixte Sr2(Ta1-xNbx)2O7 pour obtenir une couche mince ferroélectrique (28) présentant une température de Curie voulue.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)