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1. (WO1998053124) A PROCESS FOR GROWING A CARBON FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/053124 International Application No.: PCT/US1998/010368
Publication Date: 26.11.1998 International Filing Date: 20.05.1998
Chapter 2 Demand Filed: 17.12.1998
IPC:
H01J 9/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9
Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02
Manufacture of electrodes or electrode systems
Applicants:
SI DIAMOND TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 3006 Longhorn Boulevard Suite 107 Austin, TX 78758, US
Inventors:
YANIV, Zvi; US
FINK, Richard, Lee; US
TOLT, Zhidan, Le; US
Agent:
KORDZIK, Kelly, K. ; Winstead Sechrest & Minick P.C. Suite 5400 1201 Elm Street Dallas, TX 75270-2199, US
Priority Data:
08/859,96021.05.1997US
Title (EN) A PROCESS FOR GROWING A CARBON FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE CARBONE
Abstract:
(EN) A film (705) (carbon and/or diamond) for a field emitter device, which may be utilized within a computer display, is produced by a process utilizing etching of a substrate (701) and then depositing the film. The etching step creates nucleation sites on the substrate for the film deposition process. With this process patterning of the emitting film is avoided. A field emitter device can be manufactured with such a film. A metal film can also be deposited (702), patterned by photolithography (703) and etch (704) to prepare nucleation sites.
(FR) Cette invention se rapporte à un film (705) ( de carbone et/ou diamant) destiné à un dispositif à émission par effet de champ, qu'il est possible de mettre en oeuvre dans un dispositif d'affichage d'ordinateur et que l'on fabrique en procédant à l'attaque d'un substrat (701) puis en formant un dépôt constituant le film. L'attaque crée des sites de nucléation sur le substrat destinés au processus de formation du dépôt constituant le film. Ce type de film permet de fabriquer un dispositif à émission par effet de champ. Il est également possible de fabriquer un film métallique en formant un dépôt (702), en dessinant un motif par photolithographie (703) et en procédant à une attaque (704) afin de préparer les sites de nucléation.
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Designated States: CA, CN, JP, KR
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
KR1020010012751EP1003926US7070651JP2001526826 CN1260847