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1. (WO1998053122) DEVICE FOR SOLIDIFICATION AND CONTINUOUS CONTROL OF CRYSTAL GROWTH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/053122 International Application No.: PCT/FR1998/000976
Publication Date: 26.11.1998 International Filing Date: 15.05.1998
Chapter 2 Demand Filed: 27.11.1998
IPC:
C30B 11/00 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
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CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Single-crystal-growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman- Stockbarger method
Applicants:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75015 Paris, FR (AllExceptUS)
CENTRE NATIONAL D'ETUDES SPATIALES [FR/FR]; 2, place Maurice Quentin F-75015 Paris, FR (AllExceptUS)
KERNEVEZ, Nelly [FR/FR]; FR (UsOnly)
WALES, Bernard [FR/FR]; FR (UsOnly)
BORGIS, André [FR/FR]; FR (UsOnly)
ROLLAND, Emmanuel [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventors:
KERNEVEZ, Nelly; FR
WALES, Bernard; FR
BORGIS, André; FR
ROLLAND, Emmanuel; FR
Agent:
BREVATOME; 25, rue de Ponthieu F-75008 Paris, FR
Priority Data:
97/0604616.05.1997FR
Title (EN) DEVICE FOR SOLIDIFICATION AND CONTINUOUS CONTROL OF CRYSTAL GROWTH
(FR) DISPOSITIF DE SOLIDIFICATION ET DE CONTROLE EN CONTINU DE LA CROISSANCE CRISTALLINE
Abstract:
(EN) The invention concerns a device for the solidification and continuous control of crystal growth in an electrically conductive doped material or alloy, based on a liquid or a molten bath, for continuously monitoring crystal growth in said doped material or alloy, in particular for continuously monitoring the dope content in the doped material or the alloyed element content in the alloy. The device is characterised in that it has two cavities using the 'Seebeck Monogradient' process whereby the means for electrically short circuiting a first liquid of the non-doped material or the pure unalloyed element in thermal equilibrium with a first solid thereof, and a second liquid of said doped material or of said alloy in thermal equilibrium with a second solid thereof, consist in an isothermal and conductive passage with reduced dimension, connecting the two cavities.
(FR) La présente invention a pour objet un dispositif de solidification et de contrôle en continu de la croissance cristalline d'un matériau dopé ou d'un alliage, conducteurs de l'électricité, à partir d'un liquide ou bain fondu, permettant le contrôle en continu de la croissance cristalline de ce matériau dopé ou de cet alliage, en particulier le contrôle en continu de la teneur en dopant du matériau dopé ou de la teneur en élément allié de l'alliage. Le dispositif selon l'invention est un dispositif à deux cavités faisant appel au procédé 'Seebeck Monogradient' dans lequel les moyens pour mettre en court-circuit électrique d'une part un premier liquide du matériau non dopé ou du corps pur non allié en équilibre thermodynamique avec un premier solide de celui-ci, et d'autre part un second liquide dudit matériau dopé ou dudit alliage en équilibre thermodynamique avec un second solide de celui-ci, consistent en un passage de dimension réduite, isotherme et conducteur reliant les deux cavités.
Designated States: US
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)
Also published as:
EP0981657