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1. (WO1998052276) MICROWAVE LINEAR OSCILLATOR/AMPLIFIER UTILIZING A MULTICOUPLED FERRITE RESONATOR
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Pub. No.: WO/1998/052276 International Application No.: PCT/US1997/023190
Publication Date: 19.11.1998 International Filing Date: 12.12.1997
Chapter 2 Demand Filed: 10.12.1998
IPC:
H03B 5/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
B
GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
5
Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
18
with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
Applicants:
VERTICOM, INC. [US/US]; 2330 Circadian Way Santa Rosa, CA 95407, US
Inventors:
PARROTT, Ronald, A.; US
Agent:
ALLEN, Kenneth, R. ; Townsend and Townsend and Crew LLP 8th floor Two Embarcadero Center San Francisco, CA 94111-3834, US
Priority Data:
08/855,16913.05.1997US
Title (EN) MICROWAVE LINEAR OSCILLATOR/AMPLIFIER UTILIZING A MULTICOUPLED FERRITE RESONATOR
(FR) OSCILLATEUR/AMPLIFICATEUR LINEAIRE HYPERFREQUENCES UTILISANT UN RESONATEUR A FERRITE A PLUSIEURS COUPLAGES
Abstract:
(EN) A multi-octave ferrite oscillator topology is disclosed that utilizes transformer coupling to provide the proper phase shift in the feedback loop. In a specific embodiment, a 10 mil YIG sphere is loosely coupled to a 20 mil input and output loops, both of which are connected to a GaAs integrated circuit that includes a Darlington pair of bipolar transistors. The Darlington provides high gain, high output power, and low parasitic reactance up to about 10 GHz. A resistor bridge across the base of the input transistor of the Darlington pair insures a substantially real input impedance over a wide bandwith.
(FR) L'invention porte sur une topologie d'oscillateur à ferrite à plusieurs octaves qui utilise un couplage par transformateur pour générer le décalage de phase approprié dans la boucle de réaction. Selon une réalisation spécifique, une sphère YIG d'un diamètre de 10 millième est couplée de manière libérable à des boucles d'entrée et de sortie d'un diamètre de 20 millième, les deux boucles étant raccordées à un circuit intégré GaAs qui comprend un circuit Darlington de transistors bipolaires. Le circuit Darlington assure un gain élevé, une puissance de sortie élevée et une faible réactance parasitaire s'élevant jusqu'à environ 10 GHz. Un pont de résistance ménagé dans la base du transistor d'entrée du circuit Darlington assure une impédance d'entrée réelle sur une importante largeur de bande.
Designated States: DE, GB
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)