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1. (WO1998052224) LITHOGRAPHICALLY DEFINED MICROELECTRONIC CONTACT STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/052224    International Application No.:    PCT/US1998/009999
Publication Date: 19.11.1998 International Filing Date: 14.05.1998
Chapter 2 Demand Filed:    15.12.1998    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01)
Applicants: FORMFACTOR, INC. [US/US]; 5666 La Ribera Street, Livermore, CA 94550 (US) (For All Designated States Except US).
PEDERSEN, David, V. [US/US]; (US) (For US Only).
KHANDROS, Igor, Y. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PEDERSEN, David, V.; (US).
KHANDROS, Igor, Y.; (US)
Agent: OKAMOTO, James, K.; Fenwick & West LLP, Two Palo Alto Square, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
PCT/US97/08634 15.05.1997 US
60/073,679 04.02.1998 US
09/032,473 26.02.1998 US
Title (EN) LITHOGRAPHICALLY DEFINED MICROELECTRONIC CONTACT STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DE CONTACT MICRO-ELECTRONIQUES DEFINIES DE MANIERE LITHOGRAPHIQUE
Abstract: front page image
(EN)Microelectronic contact structures (260, 360, 460) are lithographically defined and fabricated by applying a masking layer (220, 320, 420) on a surface of a substrate (202, 302, 402) such as an electronic component, creating an opening (222, 322, 422) in the masking layer, depositing a conductive trace of a seed layer (250, 350, 450) onto the masking layer and into the openings, and building up a mass of conductive material on the conductive trace. The sidewalls of the opening can be sloped (tapered). The conductive trace can be patterned by depositing material through a stencil or shadow mask (240, 340, 440). A protruding feature (230, 430) may be disposed on the masking layer so that a tip end (264, 364, 464) of the contact structure acquires a topography. All of these elements can be constructed as a group to form a plurality of precisely positioned resilient contact structures.
(FR)Cette invention se rapporte à des structures de contact micro-électroniques (260, 360, 460) qui sont définies par procédé lithographique. On fabrique de telles structures en appliquant une couche de masquage (220, 320, 420) à la surface d'un substrat (202, 302, 402) tel qu'un composant électronique, en créant une ouverture (222, 322, 422) dans la couche de masquage, en déposant une impression conductrice constituée d'une couche de germes cristallins (250, 350, 450) sur la couche de masquage et à l'intérieur de l'ouverture, puis en accumulant une masse de matière conductrice sur l'impression conductrice. Les parois latérales de l'ouverture peuvent être inclinées (coniques). On peut constituer le motif de l'impression conductrice en déposant la matière à travers un pochoir ou un masque perforé (240, 340, 440). On peut former une protubérance caractéristique (230, 430) sur la couche de masquage de façon à ce qu'une extrémité supérieure (264, 364, 464) de la structure de contact acquiert un certain relief. On peut fabriquer tous ces éléments en groupe afin de constituer une pluralité de structures de contact élastiques positionnées avec précision.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)