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1. (WO1998052219) RELIABILITY BARRIER INTEGRATION FOR CU METALLISATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/052219 International Application No.: PCT/US1998/009751
Publication Date: 19.11.1998 International Filing Date: 13.05.1998
Chapter 2 Demand Filed: 01.12.1998
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventors: CHEN, Fusen; US
CHEN, Liang-Yuh; US
MOSELY, Roderick, Craig; US
EIZENBERG, Moshe; IL
Agent: TACKETT, Keith, M.; Patterson & Streets, L.L.P. Suite 1500 3040 Post Oak Boulevard Houston, TX 77056, US
Priority Data:
08/856,11614.05.1997US
Title (EN) RELIABILITY BARRIER INTEGRATION FOR CU METALLISATION
(FR) INTEGRATION DE BARRIERES DE FIABILITE POUR METALLISATION AU CUIVRE
Abstract: front page image
(EN) The present invention provides a process sequence and related hardware for filling a hole with copper. The sequence comprises first forming a reliable barrier layer in the hole to prevent diffusion of the copper into the dielectric layer through which the hole is formed. One sequence comprises forming a generally conformal barrier layer over a patterned dielectric, etching the bottom of the hole, depositing a second barrier, and then filling the hole with copper. An alternative sequence comprises depositing a first barrier layer over a blanket dielectric layer, forming a hole through both the barrier layer and the dielectric layer, depositing a generally conformal second barrier layer in the hole, removing the barrier layer from the bottom of the hole, and selectively filling the hole with copper.
(FR) La présente invention concerne une séquence de processus et le matériel associé permettant de remplir un trou avec du cuivre. Ladite séquence consiste premièrement à former une couche barrière fiable dans le trou, de manière à éviter la diffusion du cuivre dans la couche diélectrique où le trou est pratiqué. Une séquence consiste à former une couche barrière généralement conforme sur un diélectrique à motifs, en attaquant le fond de l'alésage, en y déposant une seconde barrière, puis en le remplissant de cuivre. Une autre séquence consiste à déposer une première couche barrière sur une couche diélectrique de couverture, à former un trou à travers la couche barrière et la couche diélectrique, à y déposer une seconde couche barrière généralement conforme, à éliminer la couche barrière du fond du trou, et à remplir le trou de manière sélective avec du cuivre.
Designated States: JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)