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1. (WO1998050961) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING HETEROSTRUCTURE BALLASTING EMITTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/050961 International Application No.: PCT/US1998/009472
Publication Date: 12.11.1998 International Filing Date: 08.05.1998
Chapter 2 Demand Filed: 09.12.1998
IPC:
H01L 29/08 (2006.01) ,H01L 29/737 (2006.01)
Applicants: YANG, Edward, S.[US/US]; US
YANG, Yue-Fei[CN/US]; US
Inventors: YANG, Edward, S.; US
YANG, Yue-Fei; US
Agent: MILLER, Charles, E.; Pennie & Edmonds LLP 1155 Avenue of the Americas New York, NY 10036, US
Priority Data:
08/853,23809.05.1997US
Title (EN) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING HETEROSTRUCTURE BALLASTING EMITTER
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION AVEC EMETTEUR DE PROTECTION A HETEROSTRUCTURE
Abstract: front page image
(EN) An HBT device having heterostructure ballasting emitter is disclosed. The heterostructure ballasting emitter include an n-type emitter setback layer (14) on a base layer (13) and a wide-gap ballasting emitter layer (15) on the setback layer (14). The heterostructure ballasting emitter layer (15) is made so that the band gap of the emitter setback layer (14) is equal to or larger than that of the base layer (13) and the band gap of the ballasting emitter layer (15) is larger than that of the emitter setback layer (14). The heterostructure of the emitter set back layer (14) and the ballasting emitter layer (15) serves as the ballast. By changing the value of the valance offset between the emitter setback layer (14) and the ballasting emitter layer (15), the temperature dependence of the current gain becomes adjustable. As a consequence, the present invention overcomes hurdles posed by the current gain collapse and a negative differential resistance and improves the use of the HBTs in microwave power applications.
(FR) L'invention concerne un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) pourvu d'un émetteur de protection à hétérostructure. Cet émetteur de protection à hétérostructure comprend une couche setback d'émission de type N (14), placée sur une couche de base (13), et un couche d'émetteur de protection à largeur de bande interdite (15), placée sur ladite couche setback d'émission (14). La couche d'émission de protection à hétérostructure (15) est disposée de manière à ce que la largeur de bande interdite de ladite couche setback d'émission (14) soit supérieure ou égale à celle de la couche de base (13), et la largeur de bande interdite de la couche d'émetteur de protection (15) supérieure à celle de la couche setback d'émission (14). L'hétérostructure de cette couche setback d'émission (14) et de la couche d'émission de protection (15) sert de ballast. En changeant la valeur du décalage de valence entre la couche setback d'émission (14) et la couche émetteur de protection (15), on peut ajuster la dépendance à la température du gain en courant. La présente invention permet donc de surmonter les problèmes liés à un effondrement du gain de courant et à une résistance différentielle négative: elle permet ainsi d'améliorer l'utilisation de HBT dans des applications de puissance hyperfréquence.
Designated States: CA, JP, KR, SG
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)