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1. (WO1998050935) FIELD EMITTER FABRICATION USING MEGASONIC ASSISTED LIFT-OFF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/050935 International Application No.: PCT/US1998/002458
Publication Date: 12.11.1998 International Filing Date: 11.02.1998
Chapter 2 Demand Filed: 18.11.1998
IPC:
H01J 9/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9
Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02
Manufacture of electrodes or electrode systems
Applicants:
CANDESCENT TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 6580 Via del Oro San Jose, CA 95119, US
Inventors:
WILLIAMS, Dale, A.; US
Agent:
GALLENSON, Mavis, S. ; Ladas & Parry Suite 2100 5670 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90036-5679, US
Priority Data:
08/847,11930.04.1997US
Title (EN) FIELD EMITTER FABRICATION USING MEGASONIC ASSISTED LIFT-OFF
(FR) FABRICATION D'UN EMETTEUR DE CHAMP UTILISANT LE DECOLLEMENT ASSISTE PAR MEGASONS
Abstract:
(EN) A method for removing a lift-off layer (214) and an overlying closure layer (218) formed during manufacture of a field emitter structure having at least one emitter (220) on a substrate (202) comprising: a) immersing the field emitter structure in an etchant which attacks the lift-off layer (214) and b) activating a vibrational transducer (410) immersed in the etchant to subject the lift-off and closure layers to vibrational forces which aid in removing these layers (214, 218) from the emitter structure (210, 206, 220). The transducer (410) is preferably a megasonic transducer. After rinsing etchant from the emitter structure, the emitter structure may be dried using an alcohol-based fluid displacement drying process.
(FR) Ce procédé, qui permet d'enlever une couche de décollement (214) et une couche de fermeture couvrante (218) qui se sont formées lors de la fabrication d'une structure d'émetteur de champ ayant au moins un émetteur (220) sur un substrat (202), consiste: a) à immerger la structure d'émetteur de champ dans un réactif d'attaque, lequel attaque la couche de décollement (214); et b) à activer un transducteur à vibrations (410) immergé dans le réactif d'attaque, pour soumettre les couches de décollement et de fermeture à des forces de vibrations grâce auxquelles les couches (214, 218) se détachent plus facilement de la structure d'émetteur (210, 206, 220). Le transducteur (410) est de préférence constitué par un transducteur à mégasons. Après rinçage du réactif d'attaque de la structure d'émetteur, celle-ci peut être séchée au moyen d'un processus de séchage à déplacement de fluide à base d'alcool.
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Designated States: JP, KR
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
KR1020010012134EP1019937JP2001523386