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1. (WO1998050763) INTEGRATED GAS FLOW SENSOR BASED ON POROUS SILICON MICROMACHINING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/050763    International Application No.:    PCT/GR1997/000040
Publication Date: 12.11.1998 International Filing Date: 25.11.1997
IPC:
G01F 1/684 (2006.01), G01F 1/688 (2006.01)
Applicants: NCSR 'DEMOKRITOS' [GR/GR]; P.O. Box 60228, Aghia Paraskevi, Attikis, GR-153 10 Athens (GR) (For All Designated States Except US).
NASSIOPOULOU, Androula, G. [GR/GR]; (GR).
KALTSAS, Grigoris [GR/GR]; (GR)
Inventors: NASSIOPOULOU, Androula, G.; (GR).
KALTSAS, Grigoris; (GR)
Priority Data:
970100176 07.05.1997 GR
Title (EN) INTEGRATED GAS FLOW SENSOR BASED ON POROUS SILICON MICROMACHINING
(FR) CAPTEUR INTEGRE DE DEBIT GAZEUX BASE SUR DES TECHNIQUES DE MICRO-USINAGE DE SILICIUM POREUX
Abstract: front page image
(EN)The device of the integrated gas flow sensor is fabricated on a membrane made of a bilayer of SiO2/polysilicon on bulk crystalline silicon. The membrane is either suspended on a deep cavity formed on bulk crystalline silicon, or it is lying on a thick oxidized porous silicon layer. The cavity under the membrane is fabricated by bulk silicon micromachining using porous silicon as a sacrificial layer. The sensing element is composed of a two series of integrated thermocouples on the left and right side of a heated resistor. The thermocouples are composed of parallel strips of aluminum/p-type polysilicon or p-type/n-type polysilicon, in contact on one end. The heated resistor is a p-type polysilicon strip. A second polysilicon resistor outside the membrane in series with the heated resistor serves to stabilize the heating power to better than 0.05 %. The fabrication process is C-MOS compatible and the sensor is easily integrated on silicon with its readout electronics.
(FR)Capteur intégré de débit gazeux fabriqué sur une membrane constituée par une double couche de SiO2/ polysilicium sur un substrat de silicium cristallin. Cette membrane est soit suspendue sur une cavité profonde située sur le substrat de silicium cristallin, soit placée sur une couche de silicium poreux oxydée en profondeur. La cavité sous la membrane est fabriquée au moyen d'une technique de micro-usinage de silicium poreux mettant en application le silicium poreux en tant que couche perdue. L'élément capteur est composé de deux séries de thermocouples intégrés du côté gauche et du côté droit d'une résistance réchauffée. Ces thermocouples sont composés de bandes parallèles de polysilicium de type p/aluminium ou de polysilicium de type p/type n, en contact à une extrémité. La résistance chauffante est constituée par une bande de polysilicium de type p. Une deuxième résistance de polysilicium placée hors de la membrane en série avec la résistance réchauffée sert à stabiliser la puissance de réchauffement à une valeur supérieure à 0,05 %. Ce procédé de fabrication est compatible avec C-MOS et le capteur est intégré sans difficultés sur le silicium avec son électronique de lecture.
Designated States: CA, CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)