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1. (WO1998050606) VERTICAL FURNACE FOR THE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/050606    International Application No.:    PCT/NL1998/000246
Publication Date: 12.11.1998 International Filing Date: 05.05.1998
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C30B 25/08 (2006.01)
Applicants: ASM INTERNATIONAL N.V. [NL/NL]; Jan van Eycklaan 10 Postbus 100 NL-3720 AC Bilthoven (NL) (For All Designated States Except US).
BUIJZE, Jacobus, Pieter [NL/NL]; (NL) (For US Only).
STOUTJESDIJK, Jeroen, Jan [NL/NL]; (NL) (For US Only).
DE RIDDER, Christianus, Gerardus, Maria [NL/NL]; (NL) (For US Only).
STOHR, Hubertus, Johannes, Julius [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: BUIJZE, Jacobus, Pieter; (NL).
STOUTJESDIJK, Jeroen, Jan; (NL).
DE RIDDER, Christianus, Gerardus, Maria; (NL).
STOHR, Hubertus, Johannes, Julius; (NL)
Agent: DE BRUIJN, Leendert, C.; Nederlandsch Octrooibureau Scheveningseweg 82 P.O. Box 29720 NL-2502 LS The Hague (NL)
Priority Data:
1005963 02.05.1997 NL
Title (EN) VERTICAL FURNACE FOR THE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) FOUR VERTICAL POUR LE TRAITEMENT DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)The treatment chamber in the furnace is delimited by a liner of refractory material. In order to increase the life thereof and in particular to restrict the sensitivity to deposits deposited by the process gas fed through the furnace, it is proposed to make the liner of a silicon carbide material. To seal the furnace chamber, a second liner of quartz material is placed around a liner of this type and the gap between the two liners is flushed.
(FR)Cette invention se rapporte à un four vertical pour le traitement de substrats semiconducteurs, dont la chambre de traitement est délimitée par un garnissage intérieur en matériau réfractaire. Pour augmenter la durée de vie du four et en particulier pour restreindre sa senbilité aux dépôts se formant sous l'action du gaz utilisé dans la four, on propose de réaliser le garnissage intérieur en un matériau à base de carbure de silicium. Pour sceller la chambre du four, un second garnissage intérieur en matériau à quartz est placé autour d'un garnissage intérieur de ce type et l'espace libre entre les deux garnissages intérieurs est comblé.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)