Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO1998049761) THERMAL SHUTDOWN CIRCUIT AND METHOD FOR SENSING THERMAL GRADIENTS TO EXTRAPOLATE HOT SPOT TEMPERATURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/049761 International Application No.: PCT/US1998/008103
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 22.04.1998
Chapter 2 Demand Filed: 05.11.1998
IPC:
H01L 27/02 (2006.01) ,H03F 1/52 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
F
AMPLIFIERS
1
Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
52
Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Applicants:
BURR-BROWN CORPORATION [US/US]; 6730 South Tucson Boulevard Tucson, AZ 85706, US
Inventors:
GIBSON, Gary, S.; US
Agent:
CAHILL, William, C.; Cahill, Sutton & Thomas P.L.C. Suite 155 2141 E. Highland Avenue Phoenix, AZ 85016, US
Priority Data:
08/928,83712.09.1997US
60/045,22330.04.1997US
Title (EN) THERMAL SHUTDOWN CIRCUIT AND METHOD FOR SENSING THERMAL GRADIENTS TO EXTRAPOLATE HOT SPOT TEMPERATURE
(FR) CIRCUIT D'ARRET THERMIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE GRADIENTS THERMIQUES POUR L'EXTRAPOLATION DE LA TEMPERATURE DE POINTS CHAUDS
Abstract:
(EN) A circuit provides at least partial thermal shutdown of an integrated circuit chip (5) including a functional circuit (7) in response to detection of a hot spot in a first area (1) of the chip (5). First (Q1) and second (Q3) transistors in a second area (3) are located a first distance (10) from the first area of the chip (5), and third (Q4) and fourth (Q2) transistors in a third area (4) of the chip (5) are located a second distance (11) substantially greater than the first distance (10) from the first area (1). Functional circuit (7) dissipates power causing a temperature in the hot spot to rise to approximately a first temperature (T3) and causing the temperature of the first and second transistors to be a second temperature (T2) and the third and fourth transistors to be a third temperature (T1). The four transistors produce a current (IOUT) proportional to the difference between (T2 and T1), and hence, represent a temperature (delta T).
(FR) Un circuit provoque au moins l'arrêt thermique partiel d'une puce de circuit intégré (5) comprenant un circuit fonctionnel (7), en réponse à la détection d'un point chaud dans une première zone (1) de la puce (5). Des premier (Q1) et deuxième (Q3) transistors d'une deuxième zone (3) sont situés à une première distance (10) de la première zone de la puce (5) et des troisième (Q4) et quatrième (Q2) transistors d'une troisième zone (4) de la puce (5) sont situés à une deuxième distance (11) sensiblement supérieure à la première distance (10) de la première zone (1). Un circuit fonctionnel (7) dissipe l'énergie, et entraîne ainsi une augmentation de la température du point chaud à environ une première température (T3) et fait passer la température des premier et deuxième transistors à une deuxième température (T2) et des troisième et quatrième transistors à une troisième température (T1). Les quatre transistors produisent un courant (ISORTIE) proportionnel à la différence entre (T2) et (T1), et représentent ainsi une température (delta T).
front page image
Designated States: JP
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)