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1. (WO1998049759) DIODE LASER OSCILLATOR OR AMPLIFIER HAVING AT LEAST ONE LIGHT CONDUCTING SEMICONDUCTOR LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/049759    International Application No.:    PCT/DE1998/000868
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 24.03.1998
Chapter 2 Demand Filed:    09.10.1998    
IPC:
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
MIKULLA, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CHAZAN, Pierre [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: MIKULLA, Michael; (DE).
CHAZAN, Pierre; (FR)
Agent: RÖSLER, Uwe; Rösler Patentanwaltskanzlei, Landsberger Strasse 480a, D-81241 München (DE)
Priority Data:
197 17 571.6 25.04.1997 DE
Title (DE) DIODENLASER-OSZILLATOR ODER -VERSTÄRKER MIT WENIGSTENS EINER LICHTLEITENDEN HALBLEITERSCHICHT
(EN) DIODE LASER OSCILLATOR OR AMPLIFIER HAVING AT LEAST ONE LIGHT CONDUCTING SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) OSCILLATEUR OU AMPLIFICATEUR A DIODE LASER, COMPORTANT AU MOINS UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE CONDUISANT LA LUMIERE
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Diodenlaser-Oszillator oder -Verstärker mit wenigstens einer lichtleitenden Halbleiterschicht, deren Brechungsindex größer ist als der Brechungsindex von Halbleiterschichten, die die lichtleitende Halbleiterschicht umgeben und zusammen mit dieser eine optische Wellenleiterstruktur bilden, und die wenigstens einen optisch aktiven Schichtbereich aufweist, innerhalb dem stimulierte Photonenemission auftritt und der einen optischen Füllfaktor aufweist, der den innerhalb des optisch aktiven Schichtbereiches vorhandenen Lichtanteil einer in der optischen Wellenleiterstruktur geführten optischen Welle beschreibt. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die lichtleitende Halbleiterschicht derart ausgestaltet ist, und/oder der Brechungsindex der lichtleitenden Halbleiterschicht sowie der Brechungsindex der die lichtleitende Halbleiterschicht umgebenden Halbleiterschichten derart gewählt sind, daß der optische Füllfaktor reduziert ist.
(EN)The invention relates to a diode laser oscillator or amplifier having at least one light conducting semiconductor layer. The refractive index of said layer is greater than that of semiconductor layers which surround the light conducting semiconductor layer and form an optical waveguide structure with it. This semiconductor layer has at least one optically active zone inside which stimulated photon emission occurs, and which has an optical filling factor which describes the light proportion, present inside the optically active zone, of an optical wave guided into the optical waveguide structure. The invention is characterized in that the light conducting semiconductor layer is so configured that the optical filling factor is reduced and/or the refractive index of the light-conducting semiconductor layer and the refractive index of the semiconductor layers surrounding the light conducting semiconductor layers are selected in such a way that the optical filling factor is reduced.
(FR)L'invention concerne un oscillateur ou un amplificateur à diode laser, comportant au moins une couche semiconductrice conduisant la lumière. L'indice de réfraction de ladite couche est supérieure à celui de couches semiconductrices qui entourent cette dernière et forment avec elle une structure de guide d'onde optique. Cette couche semiconductrice conduisant la lumière comporte au moins une zone active optiquement, à l'intérieur de laquelle se produit une émission de photons stimulée et qui présente un facteur de remplissage optique décrivant la proportion de lumière, présente à l'intérieur de la zone active optiquement, d'une onde optique guidée dans la structure de guide d'onde optique. L'invention est caractérisée en ce que la couche semiconductrice conduisant la lumière est conçue de sorte que le facteur de remplissage optique soit réduit, et/ou en ce que l'indice de réfraction de la couche semiconductrice conduisant la lumière et l'indice de réfraction des couches semiconductrices entourant la couche semiconductrice conduisant la lumière sont sélectionnés également de sorte que le facteur de remplissage optique soit réduit.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)