WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998049732) LATERAL MOS TRANSISTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/049732    International Application No.:    PCT/IB1998/000399
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 19.03.1998
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: JOS, Hendrikus, Ferdinand, Franciscus; (NL)
Agent: HOUBIERS, Ernest, E., M., G.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
97201272.8 28.04.1997 EP
Title (EN) LATERAL MOS TRANSISTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF TRANSISTOR MOS LATERAL
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a lateral DMOST with a drain extension (8). The source contact entirely overlaps the gate and thus forms a screen between the gate and the drain in known transistors of this type. In the transistor proposed here, the source contact (15) does not overlap the poly gate (9) but lies entirely laterally of this gate. The gate itself is provided with a low-ohmic metal contact strip (18), which results in a low gate resistance. A metal screening strip (20) is provided between this gate contact strip and the metal drain contact (16), which screening strip is connected to the source contact (15) next to the tips of the contact strip (18). Said screening strip leads to a major improvement in the power gain at high frequencies, for example in the RF range. The screening strip (20) may be realized together with the source, drain, and gate contacts in a common metal layer.
(FR)Cette invention se rapporte à un transistor MOS à double diffusion latérale doté d'un prolongement à effet de drain (8). Dans les transistors classiques de ce type, le contact de source recouvre entièrement la grille et forme de ce fait un écran entre la grille et le drain. Dans le transistor de l'invention, le contact de source (15) ne recouvre pas la poly-grille (9) mais est disposée entièrement à côté de ladite grille. Cette grille est elle-même pourvue d'une bande de contact (18) métallique à faible valeur ohmique, ce qui se traduit par une faible résistance de grille. Une bande métallique (20) à effet d'écran, qui est disposée entre cette bande du contact de grille et le contact métallique (16) du drain, est reliée au contact de source (15) à proximité des extrémités de la bande de contact (18). Ladite bande à effet d'écran constitue un perfectionnement important pour le gain en puissance à hautes fréquences, par exemple dans le domaine des radiofréquences. Cette bande à effet d'écran (20) peut être fabriquée conjointement aux contacts de source, de drain et de grille dans une couche métallique commune.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)