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1. (WO1998049730) DESIGN AND FABRICATION OF ELECTRONIC DEVICES WITH InA1AsSb/A1Sb BARRIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/049730 International Application No.: PCT/US1998/006030
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 26.03.1998
Chapter 2 Demand Filed: 26.03.1998
IPC:
H01L 29/201 (2006.01) ,H01L 29/205 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01)
Applicants: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, represented by THE SECRETARY OF THE NAVY NAVAL RESEARCH LABORATORY, Code 3008.2[US/US]; 4555 Overlook Avenue, S.W. Washington, DC 20375-5325, US
Inventors: BOOS, John, Bradley; US
KRUPPA, Walter; US
PARK, Daewon; US
BENNETT, Brian, R.; US
Agent: MCDONNELL, Thomas, E.; Associate Counsel (Patents) Code 3008.2 Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, S.W. Washington, DC 20375-5325, US
Priority Data:
08/848,20329.04.1997US
Title (EN) DESIGN AND FABRICATION OF ELECTRONIC DEVICES WITH InA1AsSb/A1Sb BARRIER
(FR) CONCEPTION ET FABRICATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES AVEC BARRIERE InAlAsSB/AlSb
Abstract: front page image
(EN) An electronic device characterized by a GaAs substrate (8) and a base disposed on the substrate, the base comprising InAs channel layer (16), AlSb (18) layer above the channel layer, InxAll-xAslySbl-y layer (20) containing at least In, Al, and As disposed above the AlSb channel layer, InAs cap layer (22) disposed above and in contact with the InxAll-xAsySbl-y layer, AlSb layer (14) disposed below the InAs channel layer and in contact with the substrate, p+GaSb layer (12) disposed within the AlSb layer, Schottky gate (28) with a pad disposed on and in contact with the InxAll-xAsySbl-y layer, at least one ohmic contact (24, 26) disposed on the InAs cap layer, and a trench (30) extending through the base to the substrate isolating the gate bonding pad from the device and providing a gate air bridge which prevents contact between the gate and the InAs layer. The gate air bridge fabrication is accomplished by a liquid etchant containing more than half, on volume basis, of concentrated lactic acid or acetic acid with remainder hydrogen peroxide and concentrated hydrofluoric acid. The etchant attacks InAs, InxAll-xAsySbl-y, AlSb, and GaSb but does not attack GaAs and Au-based alloys.
(FR) L'invention concerne un dispositif électronique caractérisé par un substrat GaAs (8), et par une base placée sur ce substrat. Cette base comprend: une couche canal InAs (16), une couche AlSb (18) placée sur ladite couche canal, une couche InxAll-xAsySbl-y (20) renfermant au moins In, Al, et As, cette couche étant placée sur ladite couche canal AlSb, une couche supérieure InAs (22), placée sur ladite couche InxAll-xAsySbl-y et en contact avec cette dernière, une couche AlSb (14) placée sous ladite couche canal A1Sb et en contact avec le substrat, une couche p+GaSb (12) placée à l'intérieur de ladite couche AlSb, une grille (28) à diode Schottky, pourvue d'une plage placée sur ladite couche InxAll-xAsySbl-y pour être en contact avec cette dernière, au moins un contact ohmique (24, 26) placé sur la couche supérieure InAs, et une tranchée (30), qui traverse la base jusqu'au substrat, isolant ainsi la plage de connexion à la grille du dispositif, et constituant une interconnexion en forme de pont qui prévient tout contact entre ladite grille et la couche InAs. Cette interconnexion en forme de pont est fabriquée grâce à un réactif liquide, dont plus de la moitié est constituée, en volume, d'un acide lactique ou acide acétique concentré, le solde étant constitué de peroxyde d'hydrogène et d'acide fluorhydrique concentré. Ce réactif attaque InAs, InxAllxAsySbl-y, AlSb, et GaSb, mais n'attaque pas les alliages à base de GaAs et de Au.
Designated States: JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)