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1. (WO1998049721) IMPROVED PROCESS FOR PRODUCING NANOPOROUS SILICA THIN FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/049721    International Application No.:    PCT/US1998/008965
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 29.04.1998
Chapter 2 Demand Filed:    25.11.1998    
IPC:
C23C 18/12 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventors: SMITH, Douglas, M.; (US).
RAMOS, Theresa; (US).
RODERICK, Kevin, H.; (US).
WALLACE, Stephen; (US)
Agent: GOTTS, Lawrence, J.; Crowell & Moring LLP, 1001 Pennsylvania Avenue, N.W., Washington, DC 20004-2595 (US)
Priority Data:
60/044,402 29.04.1997 US
09/054,262 03.04.1998 US
Title (EN) IMPROVED PROCESS FOR PRODUCING NANOPOROUS SILICA THIN FILMS
(FR) PROCEDE AMELIORE D'OBTENTION DE COUCHES MINCES NANOPOREUSES DE SILICE
Abstract: front page image
(EN)A process for forming a nanoporous dielectric coating on a substrate. The process follows the steps of blending an alkoxysilane with a solvent composition and optional water; depositing the mixture onto a substrate while evaporating at least a portion of the solvent composition; placing the substrate in a sealed chamber and evacuating the chamber to a pressure below atmospheric pressure; exposing the substrate to water vapor at a pressure below atmospheric pressure and then exposing the substrate to base vapor.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'un revêtement diélectrique nanoporeux sur un substrat comportant les étapes suivantes: mélange d'un alkoxysilane avec un solvant et facultativement de l'eau; dépôt du mélange sur un substrat pendant l'évaporation au moins partielle du solvant; pose du substrat dans une chambre étanche dont la pression est abaissée au-dessous de la pression atmosphérique; exposition du substrat à de la vapeur d'eau sous une pression inférieure à la pression atmosphérique; et exposition du substrat à de la vapeur basique.
Designated States: AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LT, LU, LV, MD, MG, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TT, UA, UG, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)