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1. (WO1998049718) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MULTILAYER WIRING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/049718    International Application No.:    PCT/IB1998/000368
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 16.03.1998
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: WEBSTER, Marian, Nelia; (NL).
DIRKS, Albertus, Gerhardus; (NL)
Agent: VEERMAN, Jan, W.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
97201274.4 28.04.1997 EP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MULTILAYER WIRING
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR AVEC UN CABLAGE MULTICOUCHE
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device with a multilayer wiring (6, 11, 14) with aluminum conductor tracks (7, 12, 15) which are insulated from one another by insulating layers (9, 13). According to the method, an aluminum conductor track (20) provided on a surface (1) of a semiconductor body (2) is covered with a layer of insulating material (21), whereupon a contact window (22) with a wall (23) reaching down to the conductor track is formed in this insulating layer. A conductive intermediate layer (24, 28) and an aluminum layer (25, 29) are provided on this wall, whereupon a heat treatment is carried out such that aluminum (26) grows from the conductor track into the contact window. A conductive intermediate layer of titanium is provided on the wall of the contact window. A very thin, closed aluminum layer, which remains closed also during the heat treatment, can be formed on this titanium layer, which can be provided on the wall with a small thickness. The method is accordingly suitable for making semiconductor devices with multilayer wirings having contact windows of 0.5 $g(m)m or smaller and having aspect ratios above 1.
(FR)L'invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif semiconducteur avec un câblage multicouche (6, 11, 14) présentant des tracés conducteurs en aluminium (7, 12, 15) qui sont isolés les uns des autres par des couches isolantes (9, 13). Selon ce procédé, un tracé conducteur en aluminium (20) ménagé sur une surface (1) d'un corps semiconducteur (2) est recouvert d'une couche de matériau isolant (21), après quoi une fenêtre de contact (22) munie d'une paroi (23) descendant jusqu'au tracé conducteur est forméedans cette couche isolante. Une couche intermédiaire conductrice (24, 28) et une couche d'aluminium (25, 29) sont disposées sur cette paroi, après quoi un traitement thermique est réalisé de telle manière que l'aluminium (26) passe du tracé conducteur à la fenêtre de contact. Une couche intermédiaire conductrice en titane est disposée sur la paroi de la fenêtre de contact. Une couche en aluminium fermée très mince, laquelle demeure fermée également pendant le traitement thermique, peut être formée sur cette couche de titane, laquelle peut être ménagée sur la paroi avec une faible épaisseur. Ce procédé convient donc pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs à câblages multicouches présentant des fenêtres de contact de 0,5 $g(m)m maximum et des rapports dimensionnels supérieurs à 1.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)