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1. (WO1998049538) MONITORING OF MINIMUM FEATURES ON A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/049538 International Application No.: PCT/US1997/006968
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 25.04.1997
IPC:
G01B 11/02 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
B
MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11
Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02
for measuring length, width, or thickness
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20
Exposure; Apparatus therefor
Applicants:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; Armonk, NY 10504, US
Inventors:
AUSSCHNITT, Christopher, Perry; US
Agent:
SRIKRISHNAN, Kris, V.; IBM Corporation Intellectual Property Law Dept. 18G / Building 300-482 1580 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533, US
Priority Data:
Title (EN) MONITORING OF MINIMUM FEATURES ON A SUBSTRATE
(FR) CONTROLE DES DETAILS MINIMAUX SUR UN SUBSTRAT
Abstract:
(EN) A method of measuring bias of a minimum feature in a lithographic process uses creating an array of elements having a width (wp) and space corresponding to the minimum feature, and a length (lp). The length change of the array element resulting from image shortening effect from a lithographic process is measured and the bias of the element in the width dimension is calculated. A test site having groups of array (44) elements is described which facilitates automatic bias measurement of array lengths and separations and especially allows the use of non SEM metrology tools which is otherwise incapable of measuring the minimum feature width being monitored. Measurements by this method and test site used to control lithographic processing of substrates (42) in manufacturing, routine monitoring of product substrates and lithographic tool and process for minimum bias, are disclosed.
(FR) L'invention concerne un procédé de mesure de la variation dimensionnelle d'un détail minimal dans un processus lithographique. Ce procédé consiste à créer un ensemble d'éléments présentant une largeur (wp) et un espace correspondant au détail minimal, ainsi qu'une longueur (lp). La variation de la longueur des éléments résultant de l'effet de rétrécissement d'image issu d'un processus lithographique est mesurée et la variation dimensionnelle de l'élément en largeur est calculée. L'invention concerne également une région d'essai présentant des groupes d'éléments d'un ensemble (44), lesquels facilitent la mesure automatique de variation dimensionnelle des longueurs et des espacements des ensembles et permettent notamment l'emploi d'outils métrologiques n'appartenant pas à la MEB et qui ne sont par ailleurs pas susceptibles de mesurer la largeur du détail minimal objet du contrôle. L'invention concerne d'autre part les mesures réalisées à l'aide de ce procédé et de cette région d'essai et visant à surveiller le traitement lithographique des substrats (42) lors de la fabrication, le contrôle de routine des substrats produits, ainsi que l'outil et le processus lithographiques permettant une variation dimensionnelle minimale.
Designated States: KR
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)